汽車電子、5G技術(shù)、新能源汽車、軌道交通等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，提高了電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻的器件需求，于是第三代半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）、氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅（ZnO），其中，發(fā)展較為成熟的是SiC和GaN。

美、日、歐等各國(guó)對(duì)此進(jìn)行了積極的戰(zhàn)略部署，英飛凌、羅姆、德儀半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體等國(guó)際廠商也紛紛開始在第三代半導(dǎo)體上有所動(dòng)作，使得第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目，并成為半導(dǎo)體技術(shù)研究前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。加之，臺(tái)積電、世界先進(jìn)、穩(wěn)懋、X-Fab、漢磊及環(huán)宇等一眾臺(tái)系代工廠參與到第三代半導(dǎo)體的發(fā)展，逐漸將第三代半導(dǎo)體推上了C位。

眾所周知，我國(guó)現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件，自然也受到了重點(diǎn)關(guān)注。

政策分析

2015年5月，國(guó)務(wù)院印發(fā)了《中國(guó)制造2025》。其中，4次提到了以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件。

2018年7月，國(guó)內(nèi)首個(gè)《第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)路線圖》正式發(fā)布。路線圖主要從襯底/外延/器件、封裝/模塊、SiC應(yīng)用、GaN應(yīng)用等四個(gè)方面展開論述，提出了中國(guó)發(fā)展第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的路徑建議和對(duì)未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的預(yù)測(cè)。

到目前為止，國(guó)內(nèi)已有四條4/6英寸SiC生產(chǎn)/中試線和三條GaN生產(chǎn)/中試線相繼投入使用，并在建多個(gè)與第三代半導(dǎo)體相關(guān)的研發(fā)中試平臺(tái)。國(guó)產(chǎn)化的單晶襯底、外延片所占市場(chǎng)份額不斷擴(kuò)大，國(guó)產(chǎn)化的SiC二極管和Mosfet開始進(jìn)入市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)GaN微波和射頻器件在國(guó)防和通訊領(lǐng)域發(fā)揮主導(dǎo)作用。

碳化硅

根據(jù)Yole于2018年發(fā)布的《功率碳化硅（SiC）材料、器件和應(yīng)用-2018版》報(bào)告預(yù)測(cè)，到2023年SiC功率市場(chǎng)總值將超過14億美元，2017年至2023年的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到29%。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。其中，尤以美國(guó)、歐洲、日本為大。美國(guó)居于領(lǐng)導(dǎo)地位，占有全球SiC產(chǎn)量的70%-80%；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈；日本則是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的絕對(duì)領(lǐng)先者。

那么國(guó)內(nèi)碳化硅發(fā)展如何？

單晶襯底方面，國(guó)內(nèi)襯底以4英寸為主，目前，已經(jīng)開發(fā)出了6英寸導(dǎo)電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底。據(jù)CASA數(shù)據(jù)，山東天岳、天科合達(dá)、河北同光、中科節(jié)能均已完成6英寸襯底的研發(fā)，中電科裝備研制出6英寸半絕緣襯底。

山東天岳

2017年，山東天岳自主開發(fā)了全新的高純半絕緣襯底材料，目前量產(chǎn)產(chǎn)品以4英寸為主，此外其4H導(dǎo)電型碳化硅襯底材料產(chǎn)品主要有2英寸、3英寸、4英寸及6英寸。山東天岳還獨(dú)立自主開發(fā)了6英寸N型碳化硅襯底材料。

2018年11月13日，天岳碳化硅材料項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙瀏陽(yáng)高新區(qū)舉行，該項(xiàng)目的落實(shí)標(biāo)志著國(guó)內(nèi)最大的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料項(xiàng)目及成套工藝生產(chǎn)線正式開建。據(jù)悉，天岳碳化硅材料項(xiàng)目由山東天岳晶體材料有限公司開發(fā)建設(shè)，總投資30億元，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期占地156畝，主要生產(chǎn)碳化硅導(dǎo)電襯底，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)13億元；二期主要生產(chǎn)功能器件，包括電力器件封裝、模塊及裝置，新能源汽車及充電站裝置、軌道交通牽引變流器、太陽(yáng)光伏逆變器等，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值達(dá)50億-60億元，稅收可達(dá)5億-7億元。

天科合達(dá)

截止至2018年7月，,天科合達(dá)已研發(fā)出4項(xiàng)產(chǎn)品:4英寸碳化硅晶片生產(chǎn)(6英寸未量產(chǎn),準(zhǔn)備當(dāng)中)；碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備；碳化硅晶體切割、晶片加工及清晰返拋服務(wù)；碳化硅寶石晶體。

天科合達(dá)總經(jīng)理?xiàng)罱≌f(shuō):“現(xiàn)在,天科合達(dá)總共100多臺(tái)爐子,一年能產(chǎn)2萬(wàn)片4寸導(dǎo)電碳化硅晶片。我們的產(chǎn)能離市場(chǎng)需求還有距離,我們現(xiàn)在的4個(gè)大客戶需求在20萬(wàn)片。天科合達(dá)正在繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能,計(jì)劃擴(kuò)充3倍。”

2018年10月，天科合達(dá)在徐州經(jīng)開區(qū)投資的碳化硅晶片項(xiàng)目正式簽約。

河北同光

河北同光主要產(chǎn)品包括4英寸和6英寸導(dǎo)電型、半絕緣碳化硅襯底，其中4英寸襯底已達(dá)到世界先進(jìn)水平。

2017年10月，同光聯(lián)合清華大學(xué)、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、河北大學(xué)共同搭建了“第三代半導(dǎo)體材料檢測(cè)平臺(tái)”，推動(dòng)了國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

中科節(jié)能

2017年7月，中科節(jié)能與青島萊西市、國(guó)宏中晶簽訂合作協(xié)議，投資建設(shè)碳化硅長(zhǎng)晶生產(chǎn)線項(xiàng)目。該項(xiàng)目總投資10億元，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期投資約5億元，預(yù)計(jì)2019年6月建成投產(chǎn)，建成后可年產(chǎn)5萬(wàn)片4英寸N型碳化硅晶體襯底片和5千片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片；二期投資約5億元，建成后可年產(chǎn)5萬(wàn)片6英寸N型碳化硅晶體襯底片和5千片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。

Norstel

Norstel成立于2005年2月，是從硅晶圓片制造商Okmetic Oyj分離出來(lái)的企業(yè)。位于瑞典Norrk?ping 的工廠建成于2006年。Norstel采用用高溫化學(xué)氣相沉積(HTCVD)專利技術(shù)，生產(chǎn)高質(zhì)量大尺寸的SiC襯底和外延片。

外延片方面，國(guó)內(nèi)瀚天天成、東莞天域半導(dǎo)體、國(guó)民技術(shù)子公司國(guó)民天成均可供應(yīng)4-6英寸外延片，中電科13所、55所亦均有內(nèi)部供應(yīng)的外延片生產(chǎn)部門。

瀚天天成

瀚天天成是國(guó)內(nèi)一家專注于碳化硅外延晶片的中美合資高新技術(shù)企業(yè)。公司已經(jīng)形成三英寸四英寸以及六英寸的完整碳化硅半導(dǎo)體外延晶片生產(chǎn)線，并滿足600V、1200V、1700V器件制作的需求。公司也是國(guó)內(nèi)第一家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延片的供應(yīng)商。

東莞天域

東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司（TYSiC)成立于2009年1月7日,是我國(guó)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。目前公司已引進(jìn)四臺(tái)世界一流的SiC-CVD及配套檢測(cè)設(shè)備，生長(zhǎng)技術(shù)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

2012年天域半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)超2萬(wàn)片3英寸、4英寸碳化硅外延晶片的產(chǎn)業(yè)化能力，目前可提供6英寸碳化硅外延晶片以及各種單極、雙極型SiC功率器件等產(chǎn)品。

國(guó)民技術(shù)

2017年8月15日，國(guó)民技術(shù)發(fā)布公告，公司全資子公司國(guó)民投資與成都邛崍市政府簽署投資協(xié)議書，擬以不少于80億元投建“國(guó)民天成化合物半導(dǎo)體生態(tài)產(chǎn)業(yè)園”，項(xiàng)目預(yù)計(jì)三年初具規(guī)模，五年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能。公司另擬通過國(guó)民投資出資5000萬(wàn)元，與陳亞平技術(shù)團(tuán)隊(duì)等合作設(shè)立成都國(guó)民天成化合物半導(dǎo)體有限公司，建設(shè)和運(yùn)營(yíng)6英寸第二代和第三代半導(dǎo)體集成電路外延片項(xiàng)目，項(xiàng)目首期投資4.5億元。

器件/模塊/IDM方面，我國(guó)在碳化硅器件設(shè)計(jì)方面有所欠缺，還沒有廠商涉及于此。但是在模塊、器件制造環(huán)節(jié)我國(guó)已出現(xiàn)了一批優(yōu)秀的企業(yè)，包括三安集成、海威華芯、泰科天潤(rùn)、中車時(shí)代、世紀(jì)金光、芯光潤(rùn)澤、深圳基本、國(guó)揚(yáng)電子、士蘭微、揚(yáng)杰科技、瞻芯電子、天津中環(huán)、江蘇華功、大連芯冠、聚力成半導(dǎo)體等。

三安集成

2018年12月，三安光電子公司廈門三安集成電路宣布推出6英寸SiC晶圓代工制程。商業(yè)版本的6英寸SiC晶圓制造技術(shù)的全部工藝鑒定試驗(yàn)已完成并加入到三安集成電路的代工服務(wù)組合中。

泰科天潤(rùn)

泰科天潤(rùn)的基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，產(chǎn)品包含各種封裝形式的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET和碳化硅模塊等，其中600V/5A～50A、1200V/5A～50A和1700V/10A等系列的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已投入批量生產(chǎn)。泰科天潤(rùn)已建成國(guó)內(nèi)第一條碳化硅器件生產(chǎn)線，SBD產(chǎn)品覆蓋600V-3300V的電壓范圍。

芯光潤(rùn)澤

2012年，芯光潤(rùn)澤通過引進(jìn)海內(nèi)外頂尖行業(yè)專家，組建碳化硅芯片科研技術(shù)團(tuán)隊(duì)，并在第三代半導(dǎo)體方面與西交大、西電等院校成立聯(lián)合研發(fā)中心。2016年12月，芯光潤(rùn)澤第三代半導(dǎo)體碳化硅功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式開工建設(shè)。

2018年9月，廈門芯光潤(rùn)澤國(guó)內(nèi)首條碳化硅 IPM產(chǎn)線正式投產(chǎn)，標(biāo)志著我國(guó)在碳化硅芯片這個(gè)戰(zhàn)略新興行業(yè)又實(shí)現(xiàn)了一次重要的突破。

世紀(jì)金光

世紀(jì)金光是一家致力于二代、三代半導(dǎo)體晶體材料、外延器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司現(xiàn)主要產(chǎn)品為2-4英寸碳化硅單晶片，可滿足光電及微波和功率器件使用要求。

深圳基本

深圳基本半導(dǎo)體有限公司（BASiC Semiconductor Ltd.）是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。基本半導(dǎo)體整合海外創(chuàng)新技術(shù)與國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源，對(duì)碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等各方面進(jìn)行研發(fā)，覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)。基于獨(dú)有的3D SiCTM技術(shù)，基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、新能源汽車、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

國(guó)揚(yáng)電子

2016年，位于揚(yáng)州市開發(fā)區(qū)的揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子有限公司功率電子產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目，10月正式竣工投產(chǎn)。據(jù)了解，項(xiàng)目分三期實(shí)施，2014年投資約0.9億元，用于建設(shè)碳化硅模塊項(xiàng)目；2015—2016年投資約9.1億元，用于建設(shè)碳化硅材料、碳化硅模塊擴(kuò)產(chǎn)及尺寸硅外延項(xiàng)目；2017—2018年投資約10億元，用于建設(shè)大尺寸硅外延擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目和射頻模塊項(xiàng)目。

揚(yáng)杰科技

揚(yáng)杰科技產(chǎn)品包括功率二極管、整流橋、肖特基二極管和mosfet。隨著4寸線擴(kuò)產(chǎn)一倍以及6寸線產(chǎn)線2018年底滿產(chǎn)，總營(yíng)收基于出貨量穩(wěn)步提升保持35%的增長(zhǎng)速度。2015年3月，揚(yáng)杰科技與西安電子科技大學(xué)簽約開展第三代半導(dǎo)體材料與器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用研究工作；2015年4月，揚(yáng)杰科技通過增資和股權(quán)轉(zhuǎn)讓方式取得國(guó)宇電子38.87%股權(quán)，與中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所在碳化硅芯片和模塊產(chǎn)品方面建立緊密合作關(guān)系。2015年7月，揚(yáng)杰科技募資1.5億元用于碳化硅芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目。

同時(shí)公司戰(zhàn)略布局8寸線IGBT芯片和IPM模塊業(yè)務(wù)等高利潤(rùn)產(chǎn)品，多產(chǎn)品線協(xié)同發(fā)展助力公司提升在功率器件市場(chǎng)份額。

瞻芯電子

2018年5月，上海瞻芯電子稱，公司制造的第一片國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圓正式面世。據(jù)介紹，上海瞻芯電子于2017年10月上旬完成工藝流程、器件和版圖設(shè)計(jì)，在10月至12月間完成初步工藝試驗(yàn)，并且從2017年12月開始正式流片，2018年5月成功地在一條成熟量產(chǎn)的6英寸工藝生產(chǎn)線上完成碳化硅MOSFET的制造流程。晶圓級(jí)測(cè)試結(jié)果表明，各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)達(dá)到預(yù)期，為進(jìn)一步完成工藝和器件設(shè)計(jì)的優(yōu)化奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

氮化鎵

據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2016-2020年GaN射頻器件市場(chǎng)將擴(kuò)大至目前的2倍，市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到4%；2020年末，市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至目前的2.5倍。2019-2020年，5G網(wǎng)絡(luò)的實(shí)施將接棒推動(dòng)GaN市場(chǎng)增長(zhǎng)。未來(lái)10年，GaN市場(chǎng)將有望超過30億美元。

在GaN的部分，有臺(tái)積電及世界先進(jìn)提供GaN-on-Si的代工業(yè)務(wù)，穩(wěn)懋則專攻GaN-on-SiC領(lǐng)域瞄準(zhǔn)5G基地臺(tái)的商機(jī)，X-Fab、漢磊及環(huán)宇也提供SiC及GaN的代工業(yè)務(wù)。隨著代工業(yè)務(wù)的帶動(dòng)，第三代半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模也將進(jìn)一步擴(kuò)大。

在GaN襯底方面，國(guó)內(nèi)已經(jīng)小批量生產(chǎn)2英寸襯底，具備4英寸襯底生產(chǎn)能力，并開發(fā)出6英寸襯底樣品。國(guó)內(nèi)可提供相關(guān)產(chǎn)品的企業(yè)有：納維科技、中鎵半導(dǎo)體。

納維科技

蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商， 團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長(zhǎng)的設(shè)備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6英寸氮化鎵單晶材料，實(shí)現(xiàn)了氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)的n型摻雜、補(bǔ)償摻雜，研制出高電導(dǎo)率的和半絕緣的氮化鎵單晶。

中鎵半導(dǎo)體

中鎵半導(dǎo)體采用MOCVD技術(shù)、激光剝離技術(shù)、HVPE技術(shù)相結(jié)合的方法，研發(fā)、生產(chǎn)產(chǎn)品包括：GaN半導(dǎo)體襯底材料，包括GaN襯底，GaN/Al?O?復(fù)合襯底，圖形化藍(lán)寶石襯底。

2018年2月初，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司氮化鎵（GaN）襯底量產(chǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破！國(guó)內(nèi)首創(chuàng)4英寸GaN自支撐襯底的試量產(chǎn)。

外延環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)主要的企業(yè)有蘇州晶湛、江西晶能、大連芯冠科技、中晶半導(dǎo)體、耐威科技投資的聚能晶源等。

蘇州晶湛

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司致力于為微波射頻和電力電子器件應(yīng)用領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料。2013年8月，晶湛開始在蘇州納米城建設(shè)國(guó)際先進(jìn)的GaN外延材料生產(chǎn)線，可年產(chǎn)150mm氮化鎵外延片2萬(wàn)片。

2014年底蘇州晶湛在全球首家發(fā)布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗(yàn)證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，并填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)乃至世界氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。

大連芯冠科技

大連芯冠科技有限公司是一家由海外歸國(guó)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立的半導(dǎo)體高科技企業(yè)。開展以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體外延材料和電子器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

公司擁有國(guó)際先進(jìn)的德國(guó)愛思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測(cè)系統(tǒng)、可靠性測(cè)試系統(tǒng)和應(yīng)用開發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，公司已實(shí)現(xiàn)6英寸650伏硅基氮化鎵外延片的量產(chǎn)，并發(fā)布了比肩世界先進(jìn)水平的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品，主要應(yīng)用于電源管理、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車及工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。在微波射頻領(lǐng)域，公司已進(jìn)行硅基氮化鎵外延材料的開發(fā)，射頻芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備工作亦已展開，產(chǎn)品定位為10 GHz以下的射頻通訊和射頻能量市場(chǎng)。

中晶半導(dǎo)體

中晶半導(dǎo)體主要以HVPE設(shè)備等系列精密半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)為支撐，以GaN襯底為基礎(chǔ)，重點(diǎn)發(fā)展Mini/MicroLED外延、芯片技術(shù)，并向新型顯示模組方向延展；同時(shí)，中晶半導(dǎo)體將以GaN襯底材料技術(shù)為基礎(chǔ)，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導(dǎo)體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國(guó)際前沿技術(shù)，并進(jìn)行全球產(chǎn)業(yè)布局。

聚能晶源

2018 年，耐威科技先后投資設(shè)立了聚能晶源、青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司，2018年12月聚能晶源成功研制了 8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實(shí)現(xiàn)了 650V/700V 高耐壓能力的同時(shí)，保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求

器件/模塊/IDM方面，英諾賽科、華潤(rùn)微、蘇州能訊、江蘇能華、士蘭微、江蘇華功半導(dǎo)體、三安集成、海威華芯均已進(jìn)入布局。

英諾賽科

英諾賽科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海歸團(tuán)隊(duì)發(fā)起，并集合了數(shù)十名國(guó)內(nèi)外精英聯(lián)合創(chuàng)辦的第三代半導(dǎo)體電力電子器件研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。公司商業(yè)模式采用IDM 全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于打造一個(gè)集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析為一體的第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)平臺(tái)。

2017年11月英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線通線投產(chǎn)，成為國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線。

2018年年中，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，填補(bǔ)我國(guó)高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白。

英諾賽科CEO孫在亨表示，目前，在氮化鎵的電子電力器件及射頻器件，尤其是硅基氮化鎵領(lǐng)域，我國(guó)還未能實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。該項(xiàng)目的落地，就是要打破這樣的局面、填補(bǔ)我國(guó)高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白。同時(shí)，該項(xiàng)目也是該領(lǐng)域全球首個(gè)大型量產(chǎn)基地，單月滿產(chǎn)可達(dá)6-8萬(wàn)片，為5G移動(dòng)通信、新能源汽車、高速列車、電子信息、航空航天、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展和其他轉(zhuǎn)型升級(jí)行業(yè)提供先進(jìn)、高效、節(jié)能和低成本的核心電子元器件。

華潤(rùn)微

華潤(rùn)微規(guī)劃建設(shè)的化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目，判斷生產(chǎn)線主要是GaN工藝。該項(xiàng)目將分兩期實(shí)施，其中一期項(xiàng)目投資20億元，二期投資30億元。

2017年12月，華潤(rùn)微電子對(duì)中航（重慶）微電子有限公司完成收購(gòu)，擁有8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線，國(guó)內(nèi)首個(gè)8英寸600V/10A GaN功率器件產(chǎn)品，用于電源管理。

蘇州能訊

能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計(jì)與制造（IDM）的模式，自主開發(fā)了氮化鎵材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)、晶圓工藝、封裝測(cè)試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)。能訊半導(dǎo)體在江蘇昆山國(guó)家高新區(qū)建成了中國(guó)第一家氮化鎵（GaN）電子器件工廠，廠區(qū)占地55畝，累計(jì)投資10億元。完成了面向5G通信系統(tǒng)的技術(shù)與產(chǎn)品的積累，產(chǎn)品性能已通過國(guó)際一流通訊企業(yè)的測(cè)試與認(rèn)證。目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化鎵晶圓材料。

2018 EDICON China展會(huì)上，能訊半導(dǎo)體推出了780 Dual-Path封裝的大功率射頻功放管及各類解決方案，滿足基站客戶高頻、寬帶、高效的系統(tǒng)要求；尤其是效率高達(dá)60%的1.8GHz FDD Doherty 功放，領(lǐng)先同期主流LDMOS PA效率高達(dá)5% 以上。

江蘇能華

江蘇能華由國(guó)家“千人計(jì)劃”專家朱廷剛博士創(chuàng)辦，建設(shè)8條6英寸以上的外延片生產(chǎn)線和一條完整的功率器件工藝生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)以氮化鎵為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓及其功率器件、芯片和模塊。

2016年，江蘇能華參與了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專項(xiàng)，進(jìn)行GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)項(xiàng)目。

士蘭微

杭州士蘭微電子股份有限公司坐落于杭州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，是專業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)，公司現(xiàn)在的主要產(chǎn)品是集成電路和半導(dǎo)體產(chǎn)品。

2017年三季度士蘭微打通了一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線。打通之后士蘭微會(huì)進(jìn)一步加強(qiáng)這方面的技術(shù)研發(fā)，公司預(yù)計(jì)在未來(lái)1-2年內(nèi)會(huì)有產(chǎn)品突破，能夠有新產(chǎn)品盡快推到市場(chǎng)上。

2018年10月，杭州士蘭微電子股份有限公司廈門12英寸芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式開工。2017年12月，士蘭微電子與廈門市海滄區(qū)人民政府簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。士蘭微電子公司與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司共同投資220億元人民幣，在廈門規(guī)劃建設(shè)兩條12英寸90～65nm的特色工藝芯片（功率半導(dǎo)體芯片及MEMS傳感器）生產(chǎn)線和一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件（第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片）生產(chǎn)線。

華功半導(dǎo)體

江蘇華功半導(dǎo)體有限公司成立于2016年5月，在第三代半導(dǎo)體行業(yè)擁有雄厚的專家資源、優(yōu)秀的人才隊(duì)伍、長(zhǎng)期的技術(shù)積累和豐富的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。

華功半導(dǎo)體的技術(shù)團(tuán)隊(duì)以北京大學(xué)、中山大學(xué)以及合作的高校產(chǎn)業(yè)化企業(yè)為核心，從2012年開始合作推動(dòng)硅基氮化鎵功率電子產(chǎn)業(yè)化，目前已攻克了相關(guān)材料與器件的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)。

三安集成

2018年11月，據(jù)廈門晚報(bào)報(bào)道，經(jīng)過4年多的建設(shè)，省、市重點(diǎn)項(xiàng)目三安集成電路（一期）基本完工，目前已小批量生產(chǎn)砷化鎵、氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品，并陸續(xù)投用市場(chǎng)。新建的生產(chǎn)線將積極布局國(guó)產(chǎn)化品牌的5G射頻、光通訊等領(lǐng)域芯片，將在5G、無(wú)人駕駛及新能源汽車等領(lǐng)域。

截至2018年10月，三安集成電路（一期）累計(jì)完成固定資產(chǎn)投資24.1億元，擁有涵蓋GaAs、GaN、SiC芯片及外延的生產(chǎn)線，現(xiàn)有年產(chǎn)能9.6萬(wàn)片/年，達(dá)產(chǎn)后可形成36萬(wàn)片/年的產(chǎn)能規(guī)模。

海威華芯

海威華芯是國(guó)內(nèi)首家提供六英吋砷化鎵/氮化鎵微波集成電路的純晶圓代工(FOUNDRY)服務(wù)公司。2016年7月國(guó)家隊(duì)國(guó)開基金1.52億元增資海威華芯，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)護(hù)航。海威華芯二股東四威電子為中電科29所旗下全資子公司，且海特高新已與29所簽署了《戰(zhàn)略合作意向書》，為公司軍用訂單奠定基礎(chǔ)。

公司在2017年年報(bào)中表示，海威華芯技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)的砷化鎵制程研發(fā)方面IPD和PPA25產(chǎn)線試生產(chǎn)階段良率達(dá)到預(yù)期水平，具備初步量產(chǎn)能力；氮化鎵成功突破6英寸GaN晶圓鍵合技術(shù)；芯片產(chǎn)品開發(fā)方面，通用芯片、定制芯片、數(shù)字電路等開發(fā)設(shè)計(jì)超過120余款，包括濾波器、功分器、開關(guān)矩陣、耦合器等產(chǎn)品。