MOSFET開關(guān)管的的損耗分析與計(jì)算
當(dāng)開關(guān)電源完成初步設(shè)計(jì)后就可以進(jìn)行下一步的優(yōu)化設(shè)計(jì)了，所謂優(yōu)化設(shè)計(jì)就是為當(dāng)前的方案選取最合適的器件以及為選取的器件配置最優(yōu)的參數(shù)。開關(guān)電源中對(duì)效率影響較大的是開關(guān)管（包括二極管）和磁性元件（包括導(dǎo)線），在以往的設(shè)計(jì)參考資料中會(huì)給出一些一般取值，當(dāng)建立了損耗模型后估計(jì)可以用公式把這些最優(yōu)參數(shù)推導(dǎo)出來而不再依賴經(jīng)驗(yàn)值了。
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發(fā)表于 09-25 11:04
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影響MOSFET開關(guān)損耗的因素
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一文讀懂MOSFET開關(guān)損耗介紹
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發(fā)表于 04-03 06:35
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