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長江存儲投產32層3D NAND,計劃2020年進入128層堆疊

芯資本 ? 來源:未知 ? 作者:郭婷 ? 2018-11-21 17:40 ? 次閱讀

根據消息報道,武漢長江存儲有望按計劃在今年年底投產32層3D NAND,力爭未來幾年實現30萬片每月的晶圓產能目標。

目前世界上存儲器芯片市場主要由美、日、韓主導,是高度壟斷的寡頭市場格局,長江存儲的成立就是希望打破這一行業壟斷。

資料顯示,長江存儲成立于2016年,總投資達40億美元。依照長江存儲的目標,2023年要實現每月30萬片晶圓的產能,年產值1000億元,快速提升國產自給率。

長江存儲投產32層3D NAND,計劃2020年進入128層堆疊

此外,也有業界人士透露長江存儲Xtacking?架構的64層NAND樣品已經送至合作伙伴進行測試,讀寫質量大致穩定,預計最快將在2019年第3季投產。長江存儲更計劃在2020年跳過96層3D NAND,直接進入128層堆疊。

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原文標題:長江存儲即將投產!2020年直接上128層3D NAND

文章出處:【微信號:ICCapital,微信公眾號:芯資本】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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