國內首家薄膜體聲波（FBAR）芯片制造商諾思（天津）微系統有限責任公司（以下簡稱諾思），近日在第二屆重慶國際手機博覽會上發布了基于FBAR工藝的兩款中高頻LTE頻段雙工器，RSFD1702C及RSFD2502C。

諾思副總裁蔣浩在展會上說，自2014年開始大批量交付以來，諾思已經向全球100余家客戶供應了射頻濾波芯片近1億顆，廣泛應用于各類3G/4G無線智能終端、導航終端及設備、基站、衛星通訊、物聯網終端等領域。

蔣浩談到，公司研發團隊在FBAR領域17年持續、不間斷努力，不斷提升產品設計能力和制造工藝能力。截止到今天，公司仍然是國內唯一掌握自主知識產權，唯一實現大批量交付，且各項性能指標全部達到甚至部分超過國際同行業水平的公司。2019年諾思工廠交付能力將達到20億顆/年。

本次在展會上諾思發布的雙工器，預計將在2018年12月大批量交付市場。同時蔣浩還透露，今年年底前諾思還將發布一款高功率全頻段濾波器產品和針對5G新頻段的濾波器樣品。

RSFD1702C采用最新的技術和工藝，保證濾波器具有優良的上行/下行通帶插損性能。上行通帶整體插損性能優于-2.4dB, 通帶中央插損-1.1dB，同時具有較高的功率容量。下行通帶中央插損約-1.5dB, 同時具有較高的功率容量，可應對基站應用的需求。同時，該款產品具有較高的上行/下行之間的隔離度性能，達到-55dB以下。該產品還采用了先進的芯片倒裝封裝工藝，產品尺寸1.8mm x 1.4mm x 0.65mm，以適用于客戶對系統空間不斷提高的要求。

RSFD2502C具備了FBAR濾波器高滾降，高功率，1000V以上的防靜電擊穿能力（ESD）的特點，與此同時以更小尺寸為客戶節省更多的集成空間。性能方面RSFD2502C的發射端（Tx Port）提供了右側的高抑制度，全溫通帶內（-20℃~+85℃）低插入損耗，主要體現在工作狀態下高耐受功率的特性。接收端（Rx Port）提供了全溫通帶內（-20℃~+85℃）的低插入損耗和發射端（Tx Port）的高隔離度，為應用環境提供了優秀的靈敏度。