吴忠躺衫网络科技有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-10-23 11:34 ? 次閱讀

支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用。

中國(guó),北京,2018年10月22日訊 - Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補(bǔ)充,也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。

碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000

碳化硅MOSFET技術(shù)帶來(lái)的高效性可為諸多要求嚴(yán)格的應(yīng)用提供多重優(yōu)勢(shì),包括電動(dòng)和混動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心及輔助電源。 相比同類的Si IGBT,LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可帶來(lái)一系列系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化機(jī)會(huì),包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本的可能性。

此外,相比市面上其他業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅MOSFET器件,Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更優(yōu)越的性能。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型應(yīng)用包括:

太陽(yáng)能逆變器

開關(guān)模式和不間斷電源

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

感應(yīng)加熱

“此產(chǎn)品可改善現(xiàn)有應(yīng)用,并且Littelfuse應(yīng)用支持網(wǎng)絡(luò)可促進(jìn)新的設(shè)計(jì)方案。”Littelfuse半導(dǎo)體事業(yè)部電源半導(dǎo)體全球產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可為基于硅的傳統(tǒng)功率晶體管器件提供富有價(jià)值的替代選擇。 相比同類IGBT,MOSFET器件結(jié)構(gòu)可減少每個(gè)周期的開關(guān)損耗并提高輕載效率。 固有的材料特性讓碳化硅MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面優(yōu)于硅MOSFET。”

新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝,具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):

專為高頻、高效應(yīng)用優(yōu)化

極低柵極電荷和輸出電容

低柵極電阻,適用于高頻開關(guān)

供貨情況

LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只裝TO-247-3L管式封裝。 您可通過(guò)全球各地的Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。

關(guān)于 Littelfuse

Littelfuse 成立于 1927 年,是電路保護(hù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,功率和傳感領(lǐng)域的全球平臺(tái)也在不斷增長(zhǎng)。公司以其在保險(xiǎn)絲、半導(dǎo)體、聚合物、陶瓷、繼電器和傳感器等方面的技術(shù)服務(wù)于電子產(chǎn)品、汽車和工業(yè)市場(chǎng)的客戶。Littelfuse 在全球 50 多個(gè)辦事處擁有超過(guò) 1.1 萬(wàn)名員工。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7240

    瀏覽量

    214262
  • 肖特基二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    932

    瀏覽量

    34958
  • Littelfuse
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    242

    瀏覽量

    96600
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2824

    瀏覽量

    49274
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?149次閱讀
    為什么650<b class='flag-5'>V</b> SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>全面取代超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>和高壓GaN氮化鎵器件?

    SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

    近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC?
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:46 ?122次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開關(guān)IC登場(chǎng)!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)從硅產(chǎn)品碳化硅產(chǎn)品,再到氮化鎵的功率變換開關(guān)產(chǎn)品,PI都走在行業(yè)前列。近期,PI推出InnoMux?-2
    的頭像 發(fā)表于 11-18 08:57 ?4349次閱讀
    業(yè)內(nèi)首款<b class='flag-5'>1700V</b>氮化鎵開關(guān)IC登場(chǎng)!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了一款專為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?612次閱讀

    基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際光伏展

    產(chǎn)品,吸引逾50萬(wàn)專業(yè)觀眾參與。 基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代
    的頭像 發(fā)表于 06-15 09:20 ?869次閱讀
    基本半導(dǎo)體攜多款<b class='flag-5'>碳化硅</b>新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際光伏展

    Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:34 ?999次閱讀

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:26 ?877次閱讀

    安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件
    的頭像 發(fā)表于 05-22 10:38 ?996次閱讀

    碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析

    碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對(duì)低等特點(diǎn), 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。
    的頭像 發(fā)表于 04-01 11:23 ?2584次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>與硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的應(yīng)用對(duì)比分析

    英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2

    在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 03-12 09:43 ?767次閱讀

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏
    發(fā)表于 03-08 08:37

    一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

    共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 02-21 18:24 ?1570次閱讀
    一文了解SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)
    百家乐赌场在线娱乐| 澳门百家乐官网官方网站| 丰城市| 百家乐那里信誉好| 百家乐试玩平台| 百家乐官网线上| 安阳市| 大发888游戏下载46| 至尊百家乐娱乐平台| 百家乐官网QQ群娱乐| 单机百家乐官网在线小游戏| 鸿利国际| 大发888官网首页| 澳门百家乐然后赢| 百家乐注码论坛| 扑克百家乐官网赌器| 澳门百家乐官网有限公司| 利澳娱乐城| 百家乐网站那个诚信好| 网络百家乐破解平台| 百家乐官网牌盒| 什么是百家乐官网的大路| 百家乐官网有电脑游戏吗| 365新网址| 顶级赌场连环夺宝下注有什么窍门| 都坊百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐5式直缆打法| 百家乐官网赌博租| 百家乐官网玩法的秘诀| 明升信誉| 星空棋牌大厅下载| 威尼斯人娱乐场荷官| 网上百家乐假| 太阳城百家乐口诀| 24山阴宅评凶吉| 金龍百家乐官网的玩法技巧和规则 | 百家乐玩法说| 网上的百家乐怎么才能赚钱| 百家乐博之道娱乐城| 互博百家乐现金网| 实战百家乐官网十大取胜原因百分百战胜百家乐官网不买币不吹牛只你能做到按我说的.百家乐官网基本规则 |