根據(jù)市場研究公司IC Insights的調(diào)查報告，2018年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出(capex)總額將達到1,020億美元，其中，內(nèi)存芯片的資本支出預計將占整體產(chǎn)業(yè)的53%，幾乎是五年前內(nèi)存所占比重的兩倍。

根據(jù)IC Insights的最新版McClean Report，隨著所有的NAND閃存(flash)供應商提高3D NAND的產(chǎn)能，預計與NAND相關的資本支出總額將超過310億美元，占半導體產(chǎn)業(yè)總額的31%。不過，相較于2017年NAND Flash資本支出成長暴增91%，今年NAND資本支出總額增幅減緩至13%。

同時，該報告預測，DRAM和SRAM的資本支出增幅將比其他任何產(chǎn)業(yè)更高，繼2017年大幅成長82%后，今年將再成長41%。根據(jù)該報告，DRAM/SRAM的資本支出預計將達到229億美元，占整體半導體產(chǎn)業(yè)的22%。

IC Insights預計，全球半導體產(chǎn)業(yè)總計將達到1,020億美元——包括現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制造設施的升級，象征著半導體產(chǎn)業(yè)第一次為資本支出注入突破1,000億美元大關。該公司稱，今年的總資本支出將比2017年增加9%，并較2016年的資本支出增加了38%。

IC Insights警告道，經(jīng)過兩年的資本支出大幅增加后，業(yè)界過度看好NAND flash市場需求的風險相當高且不斷成長。IC Insights指出，三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)/Western Digital/ SanDisk和XMC /長江存儲科技(YMTC)都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND flash產(chǎn)能，此外，還有其他新的中國內(nèi)存新創(chuàng)公司可能進入市場。

IC Insights在新聞發(fā)布中指出：“內(nèi)存市場的歷史先例顯示，過多的支出通常會導致產(chǎn)能過剩以及緊隨而來的價格疲軟。”