近期我們使用DriveMaster對幾款NVMe SSD進行了功耗測試,具體步驟如下:
設置SSD的Power State
格式化SSD
Idle 10分鐘,并測量其工作電流
進行隨機寫 盤容量的20%,并測量其工作電流
Idle 1分鐘,并測量其工作電流 (時間可調)
切換到下一個Power State再進行以上測試
PS:測試的Power State為0~2
從log截圖可以看到,DriveMaster會統計測試過程中各種數據,包括:
電流
IOPS
SSD的溫度 – 通過抓SMART獲得
截至該時刻的總功耗
當前寫入1G數據所需的功耗
我們選取了幾款SSD進行測試,分別是:
Kingston KC1000
LiteOn T11
Plextor M8
Samsung 960EVO
Kingston KC1000結果
KC1000的Idle功耗和Active功耗在不同Power State下,基本上沒有差別
KC1000的IOPS在不同Power State下,基本上沒有差別,在Power State 2下抖動略有增加
KC1000的每GB寫入功耗在不同Power State 0,1下差別不大,在Power State 2下抖動有明顯增加
LiteON T11結果
T11不同Power State下的IOPS,功耗和每GB寫入功耗沒有太大差別;
T11的IOPS,功耗和每GB寫入功耗抖動非常劇烈;
Plextor M8結果
Plextor M8的Idle功耗和Active功耗,從Power State 0到Power State 2逐漸下降;
Plextor M8的IOPS,從Power State 0到Power State 2逐漸下降;
Plextor M8的每GB寫入功耗,從Power State 0到Power State 2逐漸上升;(IOPS下降的幅度超過功耗下降,從而導致單位數據寫入需要更多的功耗)
Samsung 960EVO結果
Samsung 960EVO的Idle功耗和Active功耗,從Power State 0到Power State 1差別不大,到Power State2有所下降;
Samsung 960EVO的IOPS,從Power State 0到Power State 1差別不大,到Power State2明顯下降;
Samsung 960EVO的每GB寫入功耗,從Power State 0到Power State 1差別不大,到Power State2明顯上升;(IOPS下降的幅度超過功耗下降,從而導致單位數據寫入需要更多的功耗)
因為SSD的類型,配置有所差異,以下的橫向對比僅供參考。
IOPS橫向對比
功耗橫向對比
-
電流
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原文標題:[餿評測] NVMe SSD功耗測試
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