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光刻膠是芯片制造的關(guān)鍵材料,圣泉集團(tuán)實(shí)現(xiàn)了

Twvn_DigitalIC ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-05-17 14:39 ? 次閱讀

光刻膠介紹

光刻膠是芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料,芯片制造要根據(jù)具體的版圖(物理設(shè)計(jì),layout)設(shè)計(jì)出掩模板,然后通過(guò)光刻(光線通過(guò)掩模板,利用光刻膠對(duì)裸片襯底等產(chǎn)生影響)形成一層層的結(jié)構(gòu),最后形成3D立體電路結(jié)構(gòu),從而產(chǎn)生Die(裸片)。工藝的發(fā)展,***的發(fā)展,材料學(xué)的同步發(fā)展才能促進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。

光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,特別是近年來(lái)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,更是大大促進(jìn)了光刻膠的研究開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。

光刻膠的技術(shù)復(fù)雜,品類(lèi)較多,根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理可分負(fù)性膠和正性膠兩類(lèi)。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠;反之,對(duì)某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能,將光刻膠做涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹(shù)脂的化學(xué)結(jié)構(gòu),光刻膠可以分為三種類(lèi)型。

1)光聚合型,采用烯類(lèi)單體,負(fù)性膠;

2)光分解型,疊氮醌類(lèi)化合物,正性膠

3)光交聯(lián)型,聚乙烯醇硅酸酯,負(fù)性膠;

不同的材料性質(zhì)不同,涉及到的參數(shù)也有所不同,實(shí)際應(yīng)用中也會(huì)有所不同。相關(guān)參數(shù)主要包括以下幾種:

1)分辨率,用關(guān)鍵尺寸(摩爾定律)來(lái)衡量分辨率;

2)對(duì)比度,光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)度的陡度,會(huì)對(duì)芯片制造良率產(chǎn)生影響;

3)粘滯性粘度,衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù);

4)敏感度,產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的最小能量值(最小曝光量);

5)粘附性,粘附于襯底的強(qiáng)度;

6)抗蝕性,光刻膠要保持粘附在襯底上并在后續(xù)刻蝕工序中保護(hù)襯底表面;

這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī),將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊,可以通過(guò)機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面,光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面,才能保證光刻的成功。

此次的突破有幾個(gè)特點(diǎn):1)并非是國(guó)內(nèi)技術(shù)人員單獨(dú)實(shí)現(xiàn)的;2)周期較長(zhǎng),一直以來(lái)是通過(guò)自身研究和國(guó)外合作的方式;3)實(shí)現(xiàn)的突破是別人早就有的東西,雖然是突破,但仍然是在追趕。

可以看出國(guó)內(nèi)芯片事業(yè)一直是屬于受限的狀態(tài),國(guó)內(nèi)其他芯片制造相關(guān)公司也都是受制于類(lèi)似的原因:

1)生產(chǎn)設(shè)備落后,由于資本投入有限,雖然國(guó)內(nèi)很早以前就開(kāi)始著力于芯片事業(yè)的發(fā)展,但是資本投入直至近幾年才有較大突破;

2)不掌握核心技術(shù),一方面是從業(yè)人員不夠多有關(guān),另一方面還是與資本投入有關(guān),互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展一方面促進(jìn)了國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)和社會(huì)的發(fā)展,另一方面對(duì)于電子以及芯片行業(yè)產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)效應(yīng),人才被互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)吸引的較多;

3)國(guó)內(nèi)的VC和PE等機(jī)構(gòu)發(fā)展較國(guó)外有較大差距,芯片發(fā)展主要依賴(lài)于國(guó)家支持;民間資本一直以來(lái)的浮躁特點(diǎn):低風(fēng)險(xiǎn)、短投資促使資本對(duì)IC相關(guān)投資力度較弱。

隨著國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)的發(fā)展,對(duì)外芯片的采購(gòu)量日益增大,超過(guò)石油市場(chǎng);“棱鏡門(mén)”事件;3G、4G的發(fā)展,高通壟斷被判罰等事件,國(guó)家對(duì)芯片行業(yè)的重視和投入也日漸增多。

材料新突破

圣泉集團(tuán)是一家新三板企業(yè),主要做做材料方面的研究。圣泉集團(tuán)的電子酚醛樹(shù)脂主要包括以下幾種材料:線性苯酚甲醛樹(shù)脂、液體酚醛樹(shù)脂、線性雙酚A甲醛樹(shù)脂、線性鄰甲酚甲醛樹(shù)脂、XYLOK酚醛樹(shù)脂、光刻膠用線性酚醛樹(shù)脂、DCPDN酚醛樹(shù)脂、含氮酚醛樹(shù)脂,其中線性酚醛樹(shù)脂是屬于正性光刻膠。

正性光刻膠的分辨率一般較負(fù)性光刻膠略差,對(duì)比度也略差,一般應(yīng)用的特征尺寸不會(huì)很小,也就是說(shuō)此次的突破性進(jìn)展只是芯片制造行業(yè)的一小步,也只能說(shuō)是突破,對(duì)于國(guó)內(nèi)芯片的發(fā)展來(lái)說(shuō)當(dāng)然也很關(guān)鍵了,但是對(duì)于芯片制造實(shí)現(xiàn)國(guó)際領(lǐng)先水平還有較大差距。

雖然美國(guó)對(duì)我們國(guó)家的芯片事業(yè)一直在進(jìn)行技術(shù)封鎖,但是通過(guò)與非美國(guó)外技術(shù)先進(jìn)的公司進(jìn)行合作,或者資本注入的方式對(duì)國(guó)外公司進(jìn)行控制來(lái)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)的技術(shù)突破都是加快國(guó)產(chǎn)芯片進(jìn)程的不錯(cuò)的方法。

國(guó)內(nèi)“制芯”技術(shù)較日美韓和***等差距較大,雖然目前國(guó)內(nèi)的芯片發(fā)展已經(jīng)有了較多燃料(資本投入),技術(shù)上也有了一些突破,但是芯片事業(yè)的發(fā)展仍然任重而道遠(yuǎn)。

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原文標(biāo)題:中國(guó)拿下一項(xiàng)“制芯”關(guān)鍵技術(shù),然而.....

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