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兆易創(chuàng)新和Rambus合資公司實現(xiàn)電阻式隨機存取存儲器(RRAM)技術(shù)的商業(yè)化

電子工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師d ? 2018-05-17 10:34 ? 次閱讀

美國芯片設(shè)計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作建立一個在中國的合資企業(yè)Reliance Memory,以實現(xiàn)電阻式隨機存取存儲器(RRAM)技術(shù)的商業(yè)化。

RRAM作為一種新型電腦存儲器,是基于一種新的半導體材料,依賴于溫度和電壓來存儲數(shù)據(jù)。RRAM及其制造的半導體允許芯片堆疊在彼此之上,使得存儲器和邏輯組件以不能復制的方式靠近在一起。這些3D“高層”芯片可以解決大數(shù)據(jù)處理延遲,同時延長未來移動設(shè)備的電池壽命,提供更快,更高能效的解決方案。

不過,目前RRAM材料需要多少溫度才會導致開關(guān)目前還是未知因素。由于沒有辦法測量由電力產(chǎn)生的熱量,研究人員使用微熱級的熱板狀裝置加熱RRAM芯片。Rambus通過監(jiān)測電子何時開始流過RRAM材料,團隊能夠測量材料形成導電通路所需的溫度,并驚喜地發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍在80°F和260°F(26.7和126.7℃)之間,遠低于此前估計的1160°F(626.7℃)。未來的RRAM器件將需要更少的電力來產(chǎn)生這些溫度,使得它們更節(jié)能。

Rambus公司創(chuàng)立于1990年,公司創(chuàng)建之初便致力于高端存儲產(chǎn)品的研究與開發(fā)。由于其在內(nèi)存技術(shù)上的先進性,很快成為了Intel下一代高性能處理器的主存平臺。

過去二十年,在PC時代Rambus憑借其DDRSDRAM技術(shù)在芯片行業(yè)占據(jù)壟斷地位,通過投入研發(fā),積累2500項專利。此前還通過與不少電腦內(nèi)存片制造巨頭在法院打官司,大都陸續(xù)達成授權(quán)和解。該公司在2015年開始重組,并將業(yè)務擴展至芯片設(shè)計以外領(lǐng)域,授權(quán)公司出售自己品牌及由供應商生產(chǎn)的授權(quán)芯片,包括美光、AMD等。

兆易創(chuàng)新主要業(yè)務為閃存芯片及其衍生產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售,其產(chǎn)品廣泛應用于手持移動終端、消費類電子產(chǎn)品物聯(lián)網(wǎng)終端、個人電腦及周邊,以及通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、辦公設(shè)備、汽車電子工業(yè)控制設(shè)備等領(lǐng)域。

目前兆易創(chuàng)新已經(jīng)成為國內(nèi)的NORFlash領(lǐng)頭羊,并在存儲方面有很大投入。隨著Rambus和兆易創(chuàng)新合作建立一個在中國的合資企業(yè),將會推進RRAM方面的研發(fā)投入并推向市場商用,此前沒有RRAM技術(shù)的兆易創(chuàng)新也將隨之受益。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù),2012年以來,兆易創(chuàng)新為中國大陸地區(qū)最大的代碼型閃存芯片本土設(shè)計企業(yè),也是最大的串行NORFlash設(shè)計企業(yè)。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)統(tǒng)計,按營業(yè)收入計算,2016年全球NorFlash市場公司排名第五位,市場占有率7%。

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