在當今高速發(fā)展的半導體產業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而，要想充分發(fā)揮氮化鎵襯底的優(yōu)勢，確保其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精準測量至關重要，因為這直接關聯(lián)到后續(xù)芯片制造工藝的良率與性能表現。不同的吸附方案恰似一雙雙各異的 “巧手”，在測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的過程中，施展著截然不同的 “操控魔法”，深刻影響著最終測量結果的精度與可靠性。

一、大面積平板吸附：穩(wěn)定有余，精準不足

大面積平板吸附作為一種經典的吸附方案，歷史悠久且應用廣泛。它依托精密制造的吸盤，其表面均勻分布著密密麻麻的微小氣孔，當抽真空系統(tǒng)啟動，強大的吸力瞬間將氮化鎵襯底整個底面緊緊吸附于吸盤之上，構建起一座看似堅不可摧的 “測量堡壘”。從穩(wěn)定性視角審視，它無疑表現卓越，無論是外界輕微的震動干擾，還是車間內氣流的無序擾動，都難以撼動襯底分毫，為高精度測量儀器提供了理想的靜態(tài)工作平臺。

但當我們將目光聚焦于氮化鎵襯底 BOW/WARP 測量這一關鍵任務時，其短板便暴露無遺。氮化鎵襯底的制備過程宛如一場 “高溫高壓的成長試煉”，在晶體生長、外延層沉積等環(huán)節(jié)，由于高溫熱應力、不同材料層間熱膨脹系數失配等復雜因素交織，襯底內部積蓄了大量錯綜復雜的應力。此時，大面積平板吸附施加的均勻且強大的壓力，如同給襯底披上了一層無形卻緊固的 “束縛鎧甲”，硬生生地將襯底原本自然的彎曲、翹曲形態(tài)往理想的 “平面” 狀態(tài)拉扯。如此一來，測量探頭在試圖捕捉襯底真實的 BOW/WARP 細微變化時，仿佛霧里看花，那些隱藏在應力之下、關乎芯片制造成敗的幾微米甚至更小尺度的形變信息被無情掩蓋，導致測量結果與襯底實際的物理狀態(tài)南轅北轍，為后續(xù)工藝優(yōu)化與質量管控埋下深深的隱患。

二、多點接觸吸附：力求自然，穩(wěn)定性欠佳

多點接觸吸附方案則像是一位小心翼翼的 “平衡大師”，它摒棄了大面積吸附的 “粗放”，轉而在氮化鎵襯底邊緣精心挑選若干關鍵支撐點位，通過機械夾具的精準夾持或小型真空吸嘴的定點吸附，溫柔且堅定地將襯底固定。這一設計理念的精妙之處在于，它最大限度地為襯底中心區(qū)域預留了 “自由呼吸” 的空間，理論上能讓襯底內部應力得以自然釋放，進而在測量時呈現出最本真的彎曲、翹曲模樣。

可現實的測量環(huán)境遠非理想狀態(tài)那般平靜。機械夾具與襯底接觸的瞬間，就如同兩個性格迥異的舞者初次磨合，難免出現 “摩擦碰撞”。由于接觸點局部壓力相對集中，襯底邊緣時常遭受微小卻不容忽視的 “創(chuàng)傷”，這不僅影響襯底自身的物理完整性，更可能在后續(xù)測量環(huán)節(jié)引入額外的誤差 “雜音”。并且，在測量過程中，只要外界稍有風吹草動，諸如輕微震動的突然來襲，多點接觸的脆弱穩(wěn)定性便原形畢露，夾持點極易發(fā)生松動或位移，進而引發(fā)襯底的晃動不安，使得測量準確性與重復性如同風中殘燭，飄忽不定，讓工程師們在追求精準工藝參數的道路上步履維艱。

三、環(huán)吸方案：精準與穩(wěn)定的精妙平衡

環(huán)吸方案恰似一位精準施策的 “領航員”，為氮化鎵襯底測量開辟了全新的航道。它獨具匠心地在襯底邊緣靠近圓周處勾勒出一道特定寬度的環(huán)形真空吸附區(qū)域，宛如為襯底量身定制了一條既穩(wěn)固又不失靈活的 “安全帶”。從固定原理來看，環(huán)形吸附區(qū)域產生的吸力恰到好處，既能穩(wěn)穩(wěn)托住襯底，對抗自重與外界小干擾，又像是一位善解人意的守護者，巧妙避開襯底中心的 “敏感地帶”。

以 BOW 測量為例，當氮化鎵襯底經歷模擬實際工況的熱循環(huán)測試后，中心區(qū)域可能出現幾十微米的彎曲形變。環(huán)吸方案下，測量探頭如同擁有 “火眼金睛”，能夠近距離、精準地捕捉到這些細微變化，以某款用于 5G 基站功率放大器芯片的氮化鎵襯底為例，測量所得 BOW 值與理論計算值偏差控制在 3% 以內，為后續(xù)芯片制造工藝提供了高可信度的數據基石。反觀大面積平板吸附，偏差可能飆升至 20% 以上，高下立判。

聚焦 WARP 測量時，環(huán)吸方案更是展現出強大的 “還原真相” 能力。在化學機械拋光（CMP）工藝后，襯底因研磨不均陷入應力失衡的 “困境”，整體平面扭曲變形。環(huán)吸如同揭開神秘面紗的手，讓這種三維扭曲狀態(tài)毫無保留地呈現在測量視野中，助力工程師們透過精準數據，直擊工藝痛點，優(yōu)化后續(xù)薄膜沉積、光刻等關鍵工序，確保芯片性能穩(wěn)定輸出。

四、復合型吸附：探索多元融合之路

隨著半導體技術向著更高精度、更復雜工藝的星辰大海不斷邁進，單一吸附方案逐漸顯露出 “力不從心” 的疲態(tài)。當下，科研人員大膽創(chuàng)新，積極探索復合型吸附方案，試圖融合多種方案的優(yōu)勢，打造出更貼合氮化鎵襯底測量需求的 “超級工具”。

例如，將環(huán)吸方案的穩(wěn)定性與多點接觸吸附的應力釋放靈活性深度融合，在測量初始階段，利用多點夾持讓襯底自然松弛，初步感知整體形變趨勢；隨后無縫切換至環(huán)吸精準固定，進行高精度測量。又或是引入智能調控系統(tǒng)，依據襯底實時狀態(tài)動態(tài)調整吸附力分布，無論是應對復雜應力分布的襯底，還是在不同測量環(huán)境下，都力求實現 BOW/WARP 測量的極致精準。

綜上所述，不同的氮化鎵襯底吸附方案在測量 BOW/WARP 時各有千秋，也各存短板。從傳統(tǒng)方案的經驗積累，到新興環(huán)吸方案的突破創(chuàng)新，再到復合型方案的前沿探索，每一步都是半導體產業(yè)追求卓越、精益求精的見證。只有深入理解每種方案的影響機制，持續(xù)優(yōu)化創(chuàng)新，才能讓氮化鎵襯底測量精準無誤，為高端芯片制造的宏偉藍圖添上濃墨重彩的一筆。

五、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，相比傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式；可一次性測量所有平面度及厚度參數。

1，靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結 構，厚 度 可 從μm級到數百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

2，可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強，充分提高重復性測量能力。

采用第三代高速掃頻可調諧激光器，一改過去傳統(tǒng)SLD寬頻低相干光源的干涉模式，解決了由于相干長度短，而重度依賴“主動式減震平臺”的情況。卓越的抗干擾，實現小型化設計，同時也可兼容匹配EFEM系統(tǒng)實現產線自動化集成測量。

3，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。