IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質隔離材料，同時 IMD3a 會隔離第二層金屬和第三層金屬，IMD3b 工藝是形成第三層金屬的介質隔離材料。IMD3的材料也是 ULK SiCOH材料。

1）淀積SiCN 刻蝕停止層。利用 PECVD淀積一層厚度約為600A的 SiCN,SiCN 作刻蝕停止層和 M2的覆蓋層，SiCN可以防止Cu 擴散。這樣 Ta/TaN 和 SiCN 就形成一個容器包裹著Cu，防止Cu向外擴散。圖4-266 所示為淀積 SiCN 的剖面圖。

2）淀積 IMD2a SiCOH 層。利用 PECVD淀積一層厚度4500A 的SiCOH。利用 DEMS（Di-甲基乙氧基硅烷）和 CHO（氧化環乙烯或C6H10O），可以淀積具有CxHy的OSG 有機復合膜。利用超紫外（UV）和可見光處理排除有機氣體，最終形成多孔的 SiCOH 介質薄膜。SiCOH 作為內部金屬氧化物隔離層，可以有效減小金屬層之間的寄生電容。

3）淀積SiCN 刻蝕停止層。利用PECVD 淀積一層厚度約為600A的 SiCN,SiCN 作刻蝕停止層。圖4-267所示為淀積 SiCN的剖面圖。

4）淀積 IMD2b SiCOH 層。利用 PECVD淀積一層厚度6000A的SiCOH。利用DEMS（Di-甲基乙氧基硅烷）和CHO（氧化環乙烯或C6H10O），可以淀積具有CxHy的OSG有機復合膜。利用超紫外（UV）和可見光處理排除有機氣體，最終形成多孔的Si-COH 介質薄膜。SiCOH 作為內部金屬氧化物隔離層，可以有效減小金屬層之間的寄生電容。

5）淀積 USG。通過PECVD淀積一層厚度約為500A的USG。淀積的方式是利用 TEOS在400°C發生分解反應形成二氧化硅淀積層。USG 和TiN 硬掩膜可以防止去光刻膠工藝中的氧自由基破壞 ULK 介電薄膜。

6）淀積 TiN 硬掩膜版層。利用PVD淀積一層厚度約為300A的TiN。通入氣體 Ar 和N2轟擊Ti靶材，淀積 TiN 薄膜。TiN為硬掩膜版層和抗反射層。圖4-268所示為淀積TiN的剖面圖。