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電阻、電容硬件基礎(chǔ)知識筆記

fcsde-sh ? 來源:fcsde-sh ? 2024-11-21 11:12 ? 次閱讀

1、電阻

1.1電阻阻值

1.1.1阻值表的來源

電阻標(biāo)準(zhǔn)由IEC(國際電工委員會)制定,標(biāo)準(zhǔn)文件為IEC60063和EN60115-2。
電阻的標(biāo)稱阻值分為E6、E12、E24、E48、E96、E192六大系列,分別使用于允許偏差為±20、±10%、±5%、±2%、±1%、±0.5%的電阻器,其中E24和E96兩個系列最為常用。
“E”表示“指數(shù)間距”(Exponential Spacing),它表明了電阻阻值是由公式計(jì)算出來的。

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字母n指的是E24、E96等標(biāo)準(zhǔn)中的數(shù)值24和96,m的取值范圍為0~n-1;這樣E24有24個基準(zhǔn)值,E96有96個基準(zhǔn)值,這些基準(zhǔn)值再乘以10的x次方,就可以得到各種阻值。

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1.1.2電阻絲印

絲印展示出了2層意義:阻值大小和絲印。
封裝0603以上的電阻(包含0603)在表面都印有絲印。
常用電阻絲印一般有:

帶有三位或四位數(shù)字絲印

帶有字母“R”的絲印

帶有數(shù)字和R之外的絲印

1.帶有三位或四位數(shù)字絲印
三位數(shù)字表示5%的精度,四位數(shù)字表示1%的精度,前面幾位表示數(shù)值,最后一位表示10的x次方。

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2.帶有字母“R”的絲印
帶字母R的電阻一般阻值較小,精度多為1%,可以吧R看做小數(shù)點(diǎn),前面數(shù)字視為有效值。
例:“22R0”,前面22表示有效值,讀數(shù)為22.0Ω,即精度為22Ω的1%精度電阻。

3.帶有數(shù)字和R之外的絲印
這種電阻絲印在0603封裝中比較常用,精度為1%,與之對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)為E-96。
E-96規(guī)定:用兩位數(shù)字加一個字母作為絲印,實(shí)際阻值可以通過查表來獲取,兩位數(shù)字表示電阻阻值,字母表示10的x次方,也需要查表。
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1.1.3電阻精度

電阻精度一般用字母表示:
T:±0.01%
A:±0.05%
B:±0.1%
D:±0.5%
F:±1%
J:±5%
K:±10%
最常用的精度是1%和5%,一般場合使用5%精度,有精度要求的使用1%電阻,比如DCDC、電流采樣,特殊要求的根據(jù)實(shí)際情況選擇更高精度

1.1.4電阻封裝

封裝的命名是電阻的實(shí)際尺寸(英寸)
例:0402尺寸:1mmx0.5mm轉(zhuǎn)換為英寸 0.04英寸x0.02英寸
常用電阻封裝有:
01005、0201、0401、0603、0805、1206、1210、1218、2010、2512

1.1.5電阻的功率

電阻額定功率與封裝
電阻的額定功率主要由封裝決定,但也不是絕對的,還跟電阻的工藝、品牌、阻值大小等有一定關(guān)系。

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可以看出同種封裝,不同品牌、不同精度、不同阻值都會影響電阻的額定功率。

電阻的額定功率與溫度關(guān)系
當(dāng)溫度超過70℃時,額定功率會下降,尤其是01005和0201額定功率要比其他封裝下降趨勢更大。

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注1:曲線①適應(yīng)于01005,0201 產(chǎn)品,曲線②適應(yīng)于0402、0603、0805、1206、1210、2010、
2512 產(chǎn)品。
注2:當(dāng)電阻使用的環(huán)境溫度超過70℃時,其額定負(fù)荷(額定功率)按照上述曲線下降。

1.1.6電阻的額定電壓

電阻是有額定耐壓值,不能超過額定耐壓值使用。

材質(zhì)相同(厚膜)的額定電壓,各品牌相差不大;

材質(zhì)不同,厚膜要比薄膜要高,

封裝越大,額定電壓值越高。

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1.1.7電阻的溫漂

溫度系數(shù)(TCR)表示電阻當(dāng)溫度沒變化1℃時,電阻阻值的相對變化,單位為ppm/℃。
溫度系數(shù) = (R-Ra) / Ra ÷ (T - Ta) x 1000000
Ra:基準(zhǔn)溫度條件下的阻值
Ta:基準(zhǔn)溫度20℃
R:任意溫度條件下的阻值
T:任意溫度
常用電阻溫度系數(shù)的范圍為:-200~500ppm/℃
例:100ppm/℃的電阻,溫度從20℃升到100℃時的變化率是多少?
阻值變化率 = 溫差 * 溫度系數(shù) / 1000000 = (100 - 20) * 100 / 1000000 = 0.8%

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1.1.8 0Ω電阻

0Ω電阻的作用

測試電流

電容設(shè)計(jì),跳線

模擬地、數(shù)字地隔離,單點(diǎn)接地

預(yù)留設(shè)計(jì)

電路保護(hù),充當(dāng)保險(xiǎn)絲
……

0Ω電阻阻值有多大
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)文件EN60115-2,0Ω電阻最大阻值有10mΩ、20mΩ、50mΩ,需要查詢各個品牌要求。

0Ω電阻過流能力

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也有過流能力達(dá)到幾十安的電阻,但這類電阻阻值一般極小,價格偏高

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像封裝1210、2512電阻封裝變大了,為什么過流能力還是2A,這里過流能力沒有增加,但是瞬時電流提高了。

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1.1.9瞬時功率

什么場合會考慮瞬時電阻?瞬時功率過大會損壞電阻嗎?

主要在開關(guān)電路,因?yàn)榧纳娙莼螂姼械拇嬖冢赡軙﹄娮栌幸粋€瞬間的沖擊。

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常規(guī)0402電阻的額定功率是1/16W,也就是0.0625W,電阻在這個功率下可以持續(xù)工作。
從上圖可以看出,如果功率給到10W,電阻可以抗住10us不壞,功率降到3W時,可以抗住150us左右,當(dāng)然這個時間不是絕對的。

2、電容

2.1電容的定義

電容的本質(zhì)
兩個相互靠近的導(dǎo)體,中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì),這就構(gòu)成了電容器。當(dāng)電容器的兩個極板之間加上電壓時,電容器就會儲存電荷。

電容量的大小
電容器的電量在數(shù)值上等于一個導(dǎo)電極板上的電荷量與兩個極板之間的電壓之比。電容器的電容量的基本單位是法拉(F)。電路圖中通常用字母C表示電容元件。
電容量的公式:

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2.2陶瓷電容

2.2.1物理結(jié)構(gòu)

MLCC是片式多層陶瓷電容器縮寫,是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來,經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片,再在芯片的兩端封上金屬層(外電極),從而形成一個類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體,故也叫獨(dú)石電容器。

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可以看到,內(nèi)部電極通過一層層疊起來,來增大電容兩極板的面積,從而增大電容量。
陶瓷介質(zhì)即為內(nèi)部填充介質(zhì),不同的介質(zhì)做成的電容器的特性不同,有容量大的,有溫度特性好的,有頻率特性好的等等,這也是為什么陶瓷電容有這么多種類的原因。

2.2.2陶瓷電容的基本參數(shù)

電容的單位
電容的基本單位是:F(法),還有uF(微法)、nF(納法)、pF(皮法)。
換算關(guān)系:
1F = 1000 000uF
1uF = 1000nF = 1000 000pF

電容容量
常用陶瓷電容容量范圍:0.5pF~100uF。
電容封裝的不同,容量也會不同。
實(shí)際生產(chǎn)的電容陶瓷容量值是離散的,電容容量表如下表:

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額定電壓
陶瓷電容常見的額定電壓有:2.5V、4V、6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV 等等。
額定電壓值與電容兩極板間的距離有關(guān)系,額定電壓越大,一般距離就要更大,否則介質(zhì)會被擊穿,這就導(dǎo)致同等容量的電容,耐壓值高的,一般尺寸會更大。
電容器的外加電壓不得超過規(guī)定的額定電壓,實(shí)際設(shè)計(jì)中,一般選擇電容時,都會讓額定電壓留有大概70%的裕量。

電容類型
同介質(zhì)種類由于它的主要極化類型不一樣,其對電場變換的響應(yīng)速度和極化率也不一樣,在相同體積下的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等就不同,介質(zhì)材料按容量的穩(wěn)定性可以分為兩類,即Ⅰ類陶瓷電容器和Ⅱ類陶瓷電容器,NPO屬于Ⅰ類陶瓷,而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U 等都屬于Ⅱ類陶瓷。
MLCC 陶瓷電容主要分為2 大類:高節(jié)介電常數(shù)型和溫度補(bǔ)償型

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電容實(shí)際電路模型
電容作為基本元器件之一,實(shí)際生產(chǎn)的電容是不理想的,會有寄生電感,等效串聯(lián)電阻存在,同時電容兩極板間的介質(zhì)不是絕對絕緣的,因此存在數(shù)值較大的絕緣電阻。
所以實(shí)際電容模型見下圖:

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阻抗-頻率特性
??根據(jù)上述電容模型,可以得到電容的復(fù)阻抗公式:

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村田10uF 電容的阻抗頻率曲線如下圖:

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??這個坐標(biāo)系是對數(shù)坐標(biāo)系,縱軸為復(fù)阻抗的模。

諧振頻率
??電容在諧振頻率處阻抗最低,濾波效果最好,不同規(guī)格的電容諧振頻率也會不同,下圖是村田常用電容的諧振頻率表:

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阻抗-頻率曲線如下圖:

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等效電阻 ESR
?陶瓷電容的等效串聯(lián)電阻并不是恒定的,等效串聯(lián)電阻和頻率有很大的關(guān)系,上述10uF電容在100Hz時,ESR是3Ω,在700KHz的時候達(dá)到最小,ESR是3mΩ。
?在做開關(guān)電源設(shè)計(jì)時,要著重考慮ESR影響,ESR直接影響紋波大小。
?電容ESR表:

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?ESR-頻率曲線如下圖:

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精度大小
相對于電阻的精度來說,電容的精度類型要低很多,以下是一般電容的精度:

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溫度特性
?不同類型電容的工作溫度范圍是不同的,并且容量隨溫度的變化也不同:

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?在設(shè)計(jì)電路時,需要考慮不同電容的溫度系數(shù),按照使用場景選擇合適溫度系數(shù)的電容。

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直流偏壓特性
?在陶瓷電容器中又被分類為高誘電率系列的電容器(X5R、X7R 特性),由于施加直流電壓,其靜電容量有時會不同于標(biāo)稱值,因此應(yīng)特別注意。
?例如,如下圖所示,對高介電常數(shù)電容器施加的直流電壓越大,其實(shí)際靜電容量越低。
容值越高的電容,直流偏壓特性越明顯,如47uF-6.3V-X5R 的電容,在6.3V 電壓處,電容量只有其標(biāo)稱值的15%左右,而100nF-6.3V-X5R 的電容容值為其標(biāo)稱值的75%左右。

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漏電流和絕緣電阻
?絕緣電阻主要與容量有關(guān),容量越大,漏電流越小。

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?盡管陶瓷電容的漏電流不大,但大電容的漏電流也達(dá)到了微安級別,如果做低功耗產(chǎn)品時,還是要選一些絕緣電阻大的電容。

2.2陶瓷電容總結(jié)

2.2.1 電容阻抗-頻率曲線圖

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?從上圖可以看出,橫軸是頻率,縱軸是阻抗,可以清楚的看到在各個頻點(diǎn)上,電容的阻抗是多少,也能看出在哪個頻率點(diǎn)諧振,ESR是多少。

2.2.2電容阻抗模型

從電容曲線圖可以看出電容的阻抗是隨頻率的變化而變化,并不是不變的,這時因?yàn)殡娙荻疾皇抢硐氲模紩嬖诩纳鷧?shù),可用簡化模型表示。

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?ESR是等效串聯(lián)電阻,ESL是等效串聯(lián)電感,C為理想電容,因此實(shí)際的電容阻抗可以用公式進(jìn)行表示:

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根據(jù)上述公式,可以得到以下曲線圖:

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?在頻率較低的時候,可以看到,感抗遠(yuǎn)小于容抗,并且復(fù)阻抗的相位為負(fù)值,說明電流超前電壓,這時典型的電容充電特性,所以說電容在低頻主要表現(xiàn)為容性。
?在頻率較高的時候,感抗遠(yuǎn)大于容抗,并且復(fù)阻抗的相位為正值,說明電壓超前電流,這時典型的電感施加電壓的行為特征,所以說電容在高頻主要表現(xiàn)為感性。
?而在諧振時,容抗和感抗相抵為0,此時電容的總阻抗最小,復(fù)阻抗相位為0,此時表現(xiàn)為純電阻特性,這個點(diǎn)就是電容的自諧振頻率。在諧振頻率左邊,電容主要呈容性,在諧振頻率右邊,主要呈感性。

2.2.3濾波電容的選擇

其實(shí)就是選阻抗最低的。

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?整個阻抗曲線呈大V 型,只有在諧振頻率點(diǎn)附近的阻抗才比較低。所以,實(shí)際的去耦電容
都有一定的工作頻率范圍,只有在諧振頻率附近,電容才有很好的去耦作用。
?可能有人會覺得,在頻率比諧振頻率高一點(diǎn)的時候,電容都成感性了,都不是電容了,所以不能讓噪聲的頻率大于電容的諧振頻率。其實(shí)這是錯誤的,去耦就是要選阻抗低的,阻抗低,在電容上產(chǎn)生的電壓波動就小,也就是噪聲會小。

2.2.4陶瓷電容曲線圖

來看下常規(guī)的MLCC 陶瓷電容的曲線圖。可以看出,不同的電容,曲線是不同的,容量大的ESR 要小寫,諧振頻率低些,主要濾低頻。容量小的ESR 要大些,諧振頻率要高些,主要濾高頻。

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2.2.5兩種方式組合濾波

實(shí)際電路中我們需要去耦的頻率范圍會比較寬,因此呢一個電容搞不定,那怎么辦呢?我們經(jīng)常有兩種方法來解決:
??1.一種是使用一個大電容和一個小電容并聯(lián)。
??2.還有一種是使用多個相同的電容并聯(lián)。

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?那么這兩種方法達(dá)到的效果分別是怎樣的呢?

首先來看大小電容并聯(lián)。
??大小兩個電容分別有各自的諧振頻率f1 和f2。

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?當(dāng)頻率比較低的時候,兩個電容都成容性,在頻率比較高的時候,兩個電容都呈感性,并聯(lián)后總體阻抗曲線都會保持原來的變化趨勢,因此,數(shù)值上會比任意一個電容都小。

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?但是,當(dāng)頻率大于f1 并小于f2 時,大電容呈感性小電容呈容性,兩者并聯(lián),就像是一個電感和一個電容并聯(lián),構(gòu)成了LC 并聯(lián)諧振電路,并在某一個頻率點(diǎn)發(fā)生并聯(lián)諧振,導(dǎo)致該處阻抗很大。如果負(fù)載芯片的電流需求正好落在這個頻率,那么會導(dǎo)致電壓波動超標(biāo)。所以,我們需要選好電容的搭配情況。

相同電容并聯(lián)的情況
?n 個相同的電容并聯(lián),諧振頻率和單個電容一樣,但是在諧振點(diǎn)處的阻抗是原來的n 分之一,因此,多個相同的電容并聯(lián)后,阻抗曲線整體形狀不變,但是各個頻點(diǎn)的整體阻抗變小。

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2.3鋁電解電容

2.3.1鋁電解電容概述

基本模型
?電容器是無源器件, 在各種電容器中,鋁電解電容器與其他電容器相比,相同尺寸時,CV 值更大,價格更便宜。電容器的基本模型如圖所示。

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?靜電容量計(jì)算式如下:

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其中,
ε為介電常數(shù);
S為兩極板正對表面積;
d 為兩極板件距離(電介質(zhì)厚度);
從式中可以看出:靜電容量與介電常數(shù),極板表面積成正比、與兩極板間距離成反比。作為鋁電解電容器的電介質(zhì)氧化膜(Al2O3)的介電常數(shù)通常為8~10,這個值一般不比其他類型的電容器大,但是,通過對鋁箔進(jìn)行蝕刻擴(kuò)大表面積,并使用電化學(xué)的處理得到更薄更耐電壓的氧化電介質(zhì)層,使鋁電解電容器可以取得比其他電容器更大的單位面積CV 值。


鋁電解電容器主要構(gòu)成如下:
陽極-----鋁箔
電介質(zhì)—陽極鋁箔表面形成的氧化膜(Al2O3)
陰極-----真正的陰極是電解液
其他的組成成分包括浸有電解液的電解紙,和電解液相連的陰極箔。綜上所述,鋁電解電容器是有極性的非對稱構(gòu)造的元件。兩個電極都使用陽極鋁箔的是兩極性(無極性)電容。

基本構(gòu)造
?鋁電解電容器素子的構(gòu)造如圖所示,由陽極箔,電解紙,陰極箔和端子(內(nèi)外部端子)卷繞在一起含浸電解液后裝入鋁殼,再用橡膠密封而成。

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材料的特性

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原文標(biāo)題:硬件基礎(chǔ)知識筆記(1)——電阻、電容、電感

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    電容電路的基礎(chǔ)知識

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    熱敏電阻基礎(chǔ)知識

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