支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用的同步整流芯片U7612

任何好的轉(zhuǎn)變都需要付出代價(jià)，同步整流電路也不例外，如何精準(zhǔn)控制MOS管的開(kāi)關(guān)成了同步整流的難點(diǎn)。選擇一款優(yōu)質(zhì)可靠的同步整流芯片，不僅能有效提高了電路的轉(zhuǎn)換效率，還可以降低設(shè)計(jì)成本。推薦銀聯(lián)寶同步整流芯片U7612！

同步整流芯片U7612快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通。

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同步整流芯片U7612 PCB設(shè)計(jì)建議：

1)副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2)VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。

3)HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測(cè)點(diǎn)位置對(duì)CCM應(yīng)力有影響，HV檢測(cè)點(diǎn)離Drain引腳越遠(yuǎn)，CCM應(yīng)力越小。High Side配置中，建議HV通過(guò)R2電阻連接到輸出電容的正端。

4)R1和C1構(gòu)成同步整流開(kāi)關(guān)的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。

5)Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。

6)SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應(yīng)與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。

在VDD電壓上升到VDD開(kāi)啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7612處于關(guān)機(jī)狀態(tài)。內(nèi)部Gate 智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會(huì)發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開(kāi)通。當(dāng)VDD電壓達(dá)到 VDD_ON之后，芯片啟動(dòng)，內(nèi)部控制電路開(kāi)始工作，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的溝道實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值VDD_OFF (典型值 3.3V)后，芯片關(guān)機(jī)，副邊繞組電流Is經(jīng)內(nèi)置MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。

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同步整流芯片U7612主要特點(diǎn)：

1)內(nèi)置 60V MOSFET

2)支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式

3)集成高壓供電電路，無(wú)需 VDD 輔助繞組供電

4)支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域

5)支持 High Side 和 Low Side 配置

6)<30ns 開(kāi)通和關(guān)斷延時(shí)

7)智能開(kāi)通檢測(cè)功能防止誤開(kāi)通

8)智能過(guò)零檢測(cè)功能

9)啟動(dòng)前 Gate 智能鉗位

10)封裝類(lèi)型 SOP-8

深圳銀聯(lián)寶科技的這款同步整流芯片U7612，是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。支持寬范圍輸出電壓應(yīng)用，特別適用于支持QC、PD 等協(xié)議的快充領(lǐng)域，可靠性高，可控性好，被市場(chǎng)一致看好！