近日，德州儀器（TI）宣布了一個重要的產能提升計劃。公司在日本會津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導體已經正式投產。

此次會津工廠的投產，是德州儀器在GaN半導體領域的重要布局。加上現有的GaN制造產能，德州儀器的GaN功率半導體自有制造產能將得到大幅提升，預計達到原來的四倍。

這一舉措不僅彰顯了德州儀器在GaN半導體領域的領先地位，也為其未來的市場拓展和產品創新提供了強有力的支持。隨著產能的提升，德州儀器將能夠更好地滿足客戶需求，推動GaN半導體技術的廣泛應用和發展。

此次擴產計劃的實施，標志著德州儀器在半導體制造領域又邁出了堅實的一步。