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TU Wien開發(fā)一款硅基MEMS電場(chǎng)測(cè)量傳感器 其優(yōu)勢(shì)是干擾正在測(cè)量的電場(chǎng)

MEMS ? 2018-01-29 10:56 ? 次閱讀

電場(chǎng)的精確測(cè)量,對(duì)于很多應(yīng)用都非常重要,例如天氣預(yù)報(bào)、工業(yè)設(shè)備的過(guò)程控制或者是高壓電纜工作人員的安全問(wèn)題等。然而從技術(shù)角度來(lái)說(shuō),精確的電場(chǎng)測(cè)量并非易事。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,一支來(lái)自維也納技術(shù)大學(xué)(TU Wien)的研究團(tuán)隊(duì)突破當(dāng)前其它測(cè)量設(shè)備所采用的設(shè)計(jì)原理,開發(fā)了一款硅基MEMS電場(chǎng)測(cè)量傳感器。通過(guò)和克雷姆斯多瑙河大學(xué)(Danube University Krems)集成傳感器系統(tǒng)研究院的合作,這款傳感器的主要設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)是它不會(huì)干擾正在測(cè)量的電場(chǎng)。該研究成果發(fā)表于近期出版的Nature Electronics雜志。
MEMS電場(chǎng)傳感器的測(cè)量原理“目前用于測(cè)量電場(chǎng)強(qiáng)度的設(shè)備具有一些顯著的缺陷,” TU Wien傳感器和執(zhí)行器系統(tǒng)研究院的Andreas Kainz解釋稱,“這些設(shè)備均包含帶電部件。在測(cè)量時(shí),這些導(dǎo)電金屬組件會(huì)顯著影響被測(cè)電場(chǎng);如果設(shè)備需要接地以提供測(cè)量參考值,那么這種影響會(huì)被進(jìn)一步放大。”因此這種電場(chǎng)測(cè)量設(shè)備往往相對(duì)不太實(shí)用,并且運(yùn)輸也較困難。TU Wien開發(fā)的這款MEMS傳感器采用硅材料制造,并且基于非常簡(jiǎn)單的原理:一個(gè)微型彈簧,以及固定在該彈簧上用于測(cè)量微米量級(jí)移動(dòng)的微型網(wǎng)格狀硅結(jié)構(gòu)。當(dāng)硅結(jié)構(gòu)處于一個(gè)電場(chǎng)中時(shí),在硅晶上會(huì)產(chǎn)生一定的作用力,使彈簧發(fā)生輕微的延展或壓縮。

TU Wien開發(fā)一款硅基MEMS電場(chǎng)測(cè)量傳感器 其優(yōu)勢(shì)是干擾正在測(cè)量的電場(chǎng)

a. 這款MEMS電場(chǎng)傳感器的測(cè)量原理:一個(gè)質(zhì)量塊(m)懸置于一個(gè)彈性元件(剛性k)上,而彈性元件固定于一個(gè)導(dǎo)電的固定框架上。當(dāng)置于電場(chǎng)(E)中時(shí),靜電感應(yīng)會(huì)在質(zhì)量塊上產(chǎn)生一個(gè)作用力(F es)。質(zhì)量塊在這個(gè)作用力下會(huì)產(chǎn)生一定的位移(δx),再利用光學(xué)原理對(duì)位移進(jìn)行測(cè)量;b. 該器件的剖視圖,展示了LED發(fā)射的光,可以穿過(guò)網(wǎng)格狀硅結(jié)構(gòu)和孔洞之間的間隙,投射到下方的光電二極管上,質(zhì)量塊的移動(dòng)改變了不透光區(qū)域和孔洞之間的間隙,從而改變了LED發(fā)射光能夠到達(dá)光電探測(cè)器的進(jìn)光量;c. 這款MEMS電場(chǎng)傳感器的3D視圖;d. 這款MEMS電場(chǎng)傳感器的掃描電鏡圖質(zhì)量塊細(xì)微的位移如何測(cè)量呢,研究人員設(shè)計(jì)了一種光學(xué)解決方案:在可動(dòng)網(wǎng)狀硅結(jié)構(gòu)的上方再設(shè)置一層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),上下兩層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的孔洞精準(zhǔn)的排列,上層的開孔和下層的不透光區(qū)域精確對(duì)準(zhǔn),也就是說(shuō)在下層網(wǎng)狀硅結(jié)構(gòu)沒(méi)有發(fā)生位移時(shí),LED光是無(wú)法穿透這兩層硅結(jié)構(gòu)的。當(dāng)傳感器置于一個(gè)電場(chǎng)中時(shí),下層網(wǎng)狀硅結(jié)構(gòu)在靜電力作用下發(fā)生了位移,使上下兩層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)之間有了縫隙,LED光便能從縫隙中穿過(guò)到達(dá)下方的光電探測(cè)器上。通過(guò)測(cè)量進(jìn)光量,利用合適的校準(zhǔn)器件便能計(jì)算出這個(gè)電場(chǎng)的強(qiáng)度。
原型器件的精確度令人振奮這款MEMS電場(chǎng)傳感器不能測(cè)量電場(chǎng)的方向,但能夠精確測(cè)量電場(chǎng)的強(qiáng)度,它可以測(cè)量從低頻到高達(dá)1KHz的電場(chǎng)強(qiáng)度。“利用我們的原型傳感器,可以高可靠地測(cè)量小于200伏特/米的弱電場(chǎng),” Andreas Kainz說(shuō),“這意味著我們的系統(tǒng)已經(jīng)與現(xiàn)有產(chǎn)品的性能相當(dāng),并且,我們的傳感器更小、更簡(jiǎn)單。此外,這款MEMS傳感器還有很大的改進(jìn)空間。其它的測(cè)量方法已經(jīng)是成熟的方案,我們的這款MEMS電場(chǎng)傳感器才剛剛設(shè)計(jì)成型。未來(lái),它肯定還能改進(jìn)的更好。

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原文標(biāo)題:新型MEMS電場(chǎng)強(qiáng)度傳感器,設(shè)計(jì)新穎無(wú)干擾

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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