近期市場消息指出，中國新能源汽車和光伏市場的快速發展，推動了碳化硅（SiC）產業鏈在技術迭代和產能擴充上的加速。這一趨勢導致SiC產業鏈中的多個環節成本顯著下降，特別是SiC襯底、外延以及SiC模塊的價格降幅明顯。

今年以來，6英寸SiC襯底的價格持續下滑，跌幅已近30%。據行業人士透露，到2024年中期，6英寸SiC襯底的價格已跌破500美元大關，逐漸逼近中國制造商的生產成本線。預計在今年第四季度，價格將進一步下滑至450美元甚至400美元，這對多數制造商構成了財務上的壓力。

SiC產業鏈主要包括襯底、外延、器件和應用等環節，其中襯底和外延工藝占據了整個成本結構的70%，襯底的成本比重更是高達50%。面對價格的大幅下滑，行業內主要存在以下三點擔憂：一是全球SiC晶體生長及襯底材料新增產能的大幅提升可能引發短期內的供過于求；二是電動汽車市場的增長放緩可能對未來SiC材料的應用可持續性產生質疑；三是價格戰對SiC市場定價的沖擊以及企業的過渡和成長問題。

然而，對于上述擔憂，行業內也進行了深入的探討。在產能釋放方面，據不完全統計，2024年全球市場共新建了14座8英寸碳化硅廠房，短期內僅有Wolfspeed的莫霍克谷工廠能夠提供8英寸碳化硅晶圓，但從明年開始，將有更多廠家能夠供應8英寸碳化硅晶圓。在中國，2023年啟動了超過50個SiC相關擴產項目，總投資超過900億元；2024年，更有超過100家企業在碳化硅領域進行布局，超過50個碳化硅項目取得了新進展。

部分行業人士認為，盡管碳化硅行業投資巨大，但在當前低價環境下，能否繼續維持運轉成為關鍵問題。他們預測，SiC襯底行業將迎來一波整合兼并潮，屆時碳化硅產業版圖將進一步刷新。

在市場增量方面，雖然新能源汽車市場近期有疲軟趨勢，但多家碳化硅大廠和車企表示，碳化硅新能源車型持續增加，8英寸碳化硅或迎來新機遇。同時，AI人工智能的浪潮也為第三代半導體帶來了新的市場增量。數據中心對算力需求的持續高漲成為了第三代半導體破局的關鍵。多家公司表示，碳化硅的高功率密度和效率在數據中心電源中具有重要作用，能夠幫助實現更高的功率密度。

在價格競爭方面，盡管價格戰可能對廠商的利潤率造成壓力，但長期來看，這將推動整個行業向更高效、更具成本效益的方向發展，并有助于SiC技術在電動汽車、光伏、工業等領域的進一步滲透和應用。隨著8英寸SiC產能的逐步釋放，預計SiC單器件或單位電流密度的成本將進一步降低，這可能成為SiC大規模商業化應用的轉折點。

在國內市場方面，一些中國一線供應商已經進入了國際IDM廠商的功率器件供應鏈，并在激烈的市場競爭中保持了穩定的出貨量、價格和利潤。隨著技術進步和規模效應，SiC基板價格將繼續下降，從而降低成本并擴大下游應用。中國廠商在全球SiC產業的競爭格局中有望占據較強優勢，并逐步將市場重心轉向中國。