近日,方正微電子發(fā)布了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新進展。作為該領(lǐng)域的IDM(垂直整合制造)企業(yè),方正微電子目前擁有兩個fab(制造工廠)。
其中,F(xiàn)ab1已經(jīng)實現(xiàn)了SiC(碳化硅)產(chǎn)能9000片/月(6英寸),并且預(yù)計在2024年底,產(chǎn)能將達到1.4萬片/月。更令人矚目的是,到2025年,方正微電子將具備16.8萬片/年的車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力,這一數(shù)字不僅在國內(nèi)領(lǐng)先,更彰顯了公司在全球市場的競爭力。
此外,方正微電子在GaN(氮化鎵)方面也有不俗的表現(xiàn),當(dāng)前產(chǎn)能已達4000片/月。為了進一步提升產(chǎn)能,方正微電子正在加速推進Fab2的8英寸SiC生產(chǎn)線建設(shè),預(yù)計將于2024年底通線,長遠規(guī)劃產(chǎn)能高達6萬片/月。
值得一提的是,方正微電子當(dāng)前已建成的車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力在中國排名第一,這不僅是對公司技術(shù)實力的肯定,更為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。
未來,方正微電子將繼續(xù)加大在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的投入,不斷提升技術(shù)水平和產(chǎn)能,為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。
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