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應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備的射頻源

電子工程師 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師黃明星 ? 2018-06-08 09:19 ? 次閱讀

熟悉微電子工藝設(shè)備的人都知道,射頻源(RFGENERATER)是半導(dǎo)體工藝不可缺少的設(shè)備,其主要應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備。其原理是刻蝕氣體(主要是F基和C1基的氣體)通過(guò)氣體流量控制系統(tǒng)通入反應(yīng)腔室,在高頻電場(chǎng)(頻率通常為13.56MHz)作用下產(chǎn)生輝光放電,使氣體分子或原子發(fā)生電離,形成等離子體(Plasma)。等離子體是包含足夠多的正負(fù)電荷數(shù)目近于相等的帶電粒子的非凝聚系統(tǒng)。而射頻源正是產(chǎn)生高頻電場(chǎng)的核心設(shè)備。

目前市場(chǎng)上,一臺(tái)新的干法刻蝕設(shè)備使用的射頻源售價(jià)大概在1萬(wàn)美金左右,而維修一臺(tái)射頻源的費(fèi)用一般也要1萬(wàn)元人民幣以上,可見(jiàn)其費(fèi)用相當(dāng)昂貴。本著節(jié)約成木的原則,本單位對(duì)在使用中出現(xiàn)故障的射頻源進(jìn)行自主維修。為了檢驗(yàn)維修后該射頻源是否可以滿(mǎn)足使用要求,根據(jù)其使用原理及其控制信號(hào)的輸入、輸出情況,自發(fā)研制了射頻源遙控收發(fā)信號(hào)模擬器。該設(shè)備研制成功后,改變了以往射頻源維修后必須上機(jī)調(diào)試的狀況,從而實(shí)現(xiàn)了脫機(jī)調(diào)試,達(dá)到了省時(shí)省力、節(jié)約成本的目的。

1設(shè)計(jì)方案

為了達(dá)到對(duì)射頻源脫機(jī)調(diào)試的目的,主要是實(shí)現(xiàn)模擬原設(shè)備主機(jī)PRMOTE控制功能,包含以下幾點(diǎn):

(1)對(duì)射頻源是否開(kāi)啟的判定;

(2)對(duì)連鎖功能(interlock)的判定;

(3)對(duì)射頻源輸出功率的設(shè)定;

(4)對(duì)射頻源正向功率的測(cè)量;

(5)對(duì)射頻源反向功率的測(cè)量。

首先對(duì)面板進(jìn)行設(shè)計(jì),參照射頻源面板的主體結(jié)構(gòu),結(jié)合實(shí)際功能要求,面板外觀見(jiàn)圖1。

應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備的射頻源

從面板設(shè)計(jì)圖中可以看到,面板功能鍵包含有射頻功率開(kāi)關(guān)鍵、連鎖功能(interlock)測(cè)試鍵、射頻源輸出功率設(shè)定旋鈕、射頻源正/反向功率測(cè)量開(kāi)關(guān)以及復(fù)位鍵,另外面板上還有顯示屏和指示燈。其電路圖見(jiàn)圖2。

應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備的射頻源

下面對(duì)各功能鍵進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō)明:

(1)射頻功率丌關(guān)鍵:RF ON為輸出射頻功率,OFF為關(guān)閉射頻功率。

(2)射頻源輸出功率設(shè)定旋鈕:設(shè)定射頻輸出功率的大小。

(3)射頻源正/反向功率測(cè)量開(kāi)關(guān):測(cè)量正/反向功率的大小,從表頭獲得其讀數(shù)。

(4)復(fù)位鍵:系統(tǒng)復(fù)位。

接下來(lái)為了實(shí)現(xiàn)模擬REMOTE控制功能,進(jìn)行電路的設(shè)計(jì),其電路原理圖見(jiàn)圖3。

應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備的射頻源

信號(hào)是通過(guò)15針雙排D型插頭傳輸,其中2腳接收反向功率,3腳接收正向功率,4腳、9腳送出RFON信號(hào),5腳送出SET POINT信號(hào),6腳為信號(hào)地,7腳為ON返回信號(hào),11、12腳為INFERLOCK信號(hào)。

應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備的射頻源

最后,根據(jù)電路的要求配上相應(yīng)的電源,見(jiàn)圖4。其中,使用78L12、79L12使得輸出電壓更穩(wěn)定。這樣一臺(tái)射頻源REMOTE控制功能模擬器就設(shè)計(jì)完成了。通過(guò)電路焊接、裝配,最終完成整臺(tái)儀器的制作,如圖5。

2實(shí)際應(yīng)用

在實(shí)際對(duì)射頻源做檢測(cè)時(shí),還需要一套射頻功率計(jì),通過(guò)對(duì)設(shè)定值和實(shí)際值的對(duì)比,判定射頻源好壞。圖6為實(shí)際測(cè)量時(shí)的原理圖。

應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備的射頻源

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