可編程的只讀存儲器（Programmable Read-Only Memory，簡稱PROM）是一種特殊的只讀存儲器，它允許用戶在制造后對其進行編程。然而，一旦編程完成，PROM的內容就變得不可更改。這與可擦寫可編程只讀存儲器（Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱EPROM）和閃存（Flash Memory）等其他類型的非易失性存儲器不同，后者可以進行多次擦寫和重寫。

1. 基本概念

1.1 存儲器的分類

存儲器是計算機系統中用于存儲數據和程序的硬件設備。根據存儲器的工作原理和特性，可以分為以下幾類：

1.1.1 易失性存儲器（Volatile Memory）
易失性存儲器在斷電后會丟失存儲的數據，常見的易失性存儲器有隨機存取存儲器（Random Access Memory，簡稱RAM）。

1.1.2 非易失性存儲器（Non-Volatile Memory）
非易失性存儲器在斷電后仍能保持存儲的數據，常見的非易失性存儲器有只讀存儲器（Read-Only Memory，簡稱ROM）、可擦寫可編程只讀存儲器（Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱EPROM）和閃存（Flash Memory）等。

1.2 只讀存儲器（ROM）

只讀存儲器是一種非易失性存儲器，其內容在制造過程中就已經確定，用戶無法對其進行修改。ROM可以分為以下幾種類型：

1.2.1 掩膜ROM（Mask ROM）
掩膜ROM在制造過程中使用光刻技術將數據直接寫入芯片，內容固定，無法更改。

1.2.2 可編程ROM（Programmable ROM，簡稱PROM）
PROM允許用戶在制造后對其進行編程，但一旦編程完成，內容就變得不可更改。

1.2.3 可擦寫可編程ROM（Erasable Programmable ROM，簡稱EPROM）
EPROM允許用戶對其進行多次擦寫和重寫，但需要特殊的擦寫方法，如紫外線擦除。

1.2.4 閃存（Flash Memory）
閃存是一種電可擦寫可編程只讀存儲器，具有快速擦寫、低功耗和高可靠性等特點。

1.3 可編程只讀存儲器（PROM）

可編程只讀存儲器（PROM）是一種特殊的只讀存儲器，允許用戶在制造后對其進行編程。PROM的編程過程通常是一次性的，一旦編程完成，內容就變得不可更改。PROM廣泛應用于固件存儲、集成電路測試和驗證等領域。

2. 工作原理

2.1 存儲單元

PROM的存儲單元通常采用二進制形式，每個存儲單元可以存儲一個比特（bit）的數據，即0或1。PROM的存儲單元可以采用不同的結構，如晶體管、二極管或反相器等。

2.2 編程方法

PROM的編程方法主要有兩種：熔絲編程和反相器編程。

2.2.1 熔絲編程
熔絲編程是一種常見的PROM編程方法，其原理是利用電流將存儲單元中的熔絲熔斷，從而改變存儲單元的狀態。熔絲編程通常使用高電流脈沖，將熔絲加熱至熔點，使其熔斷。熔絲編程是一次性的，一旦熔絲熔斷，就無法恢復。

2.2.2 反相器編程
反相器編程是一種基于反相器的PROM編程方法，其原理是通過改變反相器的輸入狀態，從而改變存儲單元的狀態。反相器編程可以通過編程電壓或編程電流來實現。與熔絲編程相比，反相器編程具有更高的靈活性和可編程性。

2.3 地址譯碼

PROM的地址譯碼是將輸入的地址信號轉換為對應的存儲單元，從而實現對特定存儲單元的訪問。地址譯碼通常采用二進制形式，如4位地址譯碼可以訪問16個存儲單元。

2.4 數據讀取

PROM的數據讀取過程與普通存儲器類似，通過輸入地址信號，將對應的存儲單元數據輸出到數據總線上。由于PROM是只讀存儲器，其數據讀取過程是不可逆的，即無法通過讀取過程修改存儲器內容。