對于從事芯片行業的人員來說，還是有必要了解數字電路中的一些基本概念，例如用作邏輯開關的 MOS 晶體管。當然，我們的目的是了解現代芯片中的行為本質，而不需要陷入半導體物理方程。

所有數字電路的基本組件是MOS晶體管。MOS是Metal-Oxid-Semiconductor金屬氧化物體的首字母縮寫，表示制造晶體管所用的制造工藝。有三個端口:柵極 (G)、漏極 (D) 和源極 (S)。

柵極是一個控制輸入:它控制源極和漏極之間的電流流動。MOS晶體管有兩種類型:nMOS和pMOS。上圖顯示了兩個MOS晶體管的符號。

MOS晶體管作為開關

首先考慮nmos晶體管。如果柵極接地 (邏輯0),則漏極和源極之間沒有電流流動。因此，我們說晶體管是關的，對應于邏輯0。如果柵電壓高，則從源極到漏極電流可以流動。我們說晶體管是開著的，對應于邏輯1。

PMOS晶體管正好相反。當柵極處于與邏輯1相對應的正電壓時沒有電流流，晶體管處于OFF狀態。與邏輯0相對應的足夠低的柵電壓則會形成從源極到漏極的導通路徑，因此晶體管處于ON狀態。

總之，MOS晶體管的柵極控制源極和漏極之間的電流流動，使我們可以將MOS晶體管視為ON/OFF開關。

當nMOS晶體管的柵極為1時，晶體管是接通的，電流在源極和漏極之間流動。當柵極為0時，nMOS晶體管關閉,源極和漏極之間沒有電流流動。pMOS晶體管正好相反，當柵極電壓為低時接通，當柵極高時關斷。

CMOS作為反相器

使用MOS晶體管建立的最簡單的邏輯門是反相器。反相器由兩個互補MOS晶體管組成，一個是nMOS，一個是pMOS，互補MOS(CMOS)反相器因此而得名。下圖顯示了使用一個nMOS晶體管和一個pMOS晶體管的CMOS反相器或"非"門的原理圖和開關級模型。

輸入IN連接兩個晶體管的門。當輸入IN為0時,nMOS晶體管為OFF,而pMOS晶體管為ON。因此，輸出OUT被拉到邏輯1,因為它通過pMOS晶體管連接到Vdd。相反，當IN為1時，nMOS為ON,PMOS為OFF，而OUT則被拉低到“0”,因為它通過nMOS晶體管與GND相連。

到這里，我們的數字電路可以完成一些最基本的邏輯功能，但是還不能夠存儲信息。

雙穩態元件

現在我們已經熟悉了MOS晶體管和CMOS反相器,是時候學習如何在MOS數字電路中存儲1bit信息了，即如何使用MOS晶體管和反相器形成一個1位存儲單元。存儲器的基本組件是雙穩態元件，即具有兩個穩定狀態的邏輯元件。下圖顯示了由兩個反相器I1和I2組成的雙穩態元件。反相器是交叉耦合的，這意味著11的輸入是I2的輸出，反之亦然。

如果Q=0，12接收到一個False輸入，在輸出上產生一個TRUE輸出。11接收到一個TRUE輸入，在輸出上產生一個False輸出。這與最開始的輸入Q=0是一致的，所以電路處于穩態。

如果Q=1,12接收一個TRUE輸入，在輸出上產生一個FALSE輸出。11接收一個FALSE輸入，在輸出上產生一個TRUE輸出。與最初的輸入Q=1是一致的，所以同樣電路處于穩態。

因為交叉耦合反相器有兩個穩定狀態,0和1,所以電路被稱為雙穩態。交叉耦合反相器的狀態包含在一個二進制狀態變量Q中。具體來說，如果Q=0，它將永遠保持0，如果Q=1，它將永遠維持1。

雖然交叉耦合反相器可以存儲一點信息，但它們不實用,因為用戶沒有輸入來控制狀態。因此，我們必須用電路來擴展雙穩態元件，它提供輸入以控制狀態變量的值。一個這樣的元件，可以接受輸入來控制存儲在雙穩態的值是一個靜態RAM單元。

后續我們再介紹SRAM和DRAM。

到這里，雖然不夠實用，但是我們已經可以使用MOS晶體管設計組合邏輯和時序邏輯了，這是芯片科技的關鍵一步。