據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報告顯示，據(jù)悉，蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導入一項名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項技術(shù)的實際投入使用，預計最早可在2026年看到成果，屆時，iPhone手機內(nèi)部的儲存空間將有望突破2TB的界限。

QLC NAND簡稱“四層單元”，這是一種極具前瞻性的閃存技術(shù)，其獨特之處在于每一個存儲單元都能容納多達4位的數(shù)據(jù)信息。相較于傳統(tǒng)的TLC NAND（三層單元），QLC NAND的存儲密度得到了顯著提升，高達33%之多。

雖然QLC NAND在面對大量寫入操作時可能會面臨挑戰(zhàn)，但其極高的存儲密度使其成為了大容量存儲應用的首選方案。蘋果公司計劃借助此項技術(shù)，進一步增強iPhone的存儲性能，以應對日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)集邦咨詢的預測，蘋果正全力推動QLC NAND技術(shù)的應用進程，其目標是將iPhone的內(nèi)置存儲空間提升至2TB的驚人水平。

此外，蘋果公司也在深入探討如何運用NAND閃存技術(shù)來存儲大型語言模型（LLMs），從而實現(xiàn)在本地運行更多的人工智能任務。向QLC NAND閃存的轉(zhuǎn)型或許將有助于提升Apple Intelligence的整體表現(xiàn)，讓其能夠更加高效地處理各種復雜的人工智能計算任務。