美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款 MRDIMM 將賦能美光客戶應(yīng)對日益繁重的工作負(fù)載，從而最大化計算基礎(chǔ)設(shè)施的價值。對于需要每個 DIMM 插槽內(nèi)存超過 128GB 的應(yīng)用，美光 MRDIMM 提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和 AI 數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當(dāng)前的 TSV RDIMM。1該款全新內(nèi)存產(chǎn)品為美光 MRDIMM系列的首代，將與英特爾至強6 處理器兼容。

美光副總裁暨計算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理

Praveen Vaidyanathan 表示：

“美光最新的創(chuàng)新主存解決方案 MRDIMM 為下一代服務(wù)器平臺提供了亟需的帶寬和容量，并降低了延遲，旨在擴(kuò)展 AI 推理和高性能計算應(yīng)用。MRDIMM 在提供與 RDIMM 相同的可靠性、可用性及適用性和接口的同時，顯著降低了每項任務(wù)的能耗，為客戶帶來了性能可擴(kuò)展的靈活解決方案。美光與業(yè)界的緊密合作，確保該解決方案能與現(xiàn)有服務(wù)器基礎(chǔ)設(shè)施無縫集成，并順利過渡到未來的計算平臺。”

通過實施 DDR5 的物理和電氣標(biāo)準(zhǔn)，MRDIMM 實現(xiàn)了內(nèi)存技術(shù)的突破，使單核心的帶寬和容量得以擴(kuò)展，為未來的計算系統(tǒng)提供堅實保障，并能滿足數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載日益增長的需求。與 RDIMM 相比，MRDIMM 具有以下優(yōu)勢：2

●有效內(nèi)存帶寬提升高達(dá)39% 2

●總線效率提升超過15%2

●與RDIMM相比，延遲降低高達(dá)40%3

MRDIMM 支持從 32GB 到 256GB 廣泛的容量選擇，涵蓋標(biāo)準(zhǔn)型和高型外形規(guī)格（TFF），適用于高性能的 1U 和 2U 服務(wù)器。得益于 TFF模塊優(yōu)化的散熱設(shè)計，在同等功耗和氣流條件下，4DRAM 溫度可降低高達(dá) 20攝氏度，為數(shù)據(jù)中心帶來更高效的散熱，并優(yōu)化內(nèi)存密集型工作負(fù)載的總系統(tǒng)任務(wù)能耗。美光憑借業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存設(shè)計和制程技術(shù)，在 256GB TFF MRDIMM 上采用 32Gb DRAM 芯片，實現(xiàn)了與采用 16Gb 芯片的 128GB TFF MRDIMM 相同的功耗表現(xiàn)。在最大數(shù)據(jù)傳輸速率下，256GB TFF MRDIMM 的性能比相同容量的 TSV RDIMM 提升 35%。5與 TSV RDIMM 相比，使用 256GB TFF MRDIMM，數(shù)據(jù)中心可以獲得前所未有的總體擁有成本（TCO）優(yōu)勢。

英特爾副總裁兼數(shù)據(jù)中心至強6產(chǎn)品

管理總經(jīng)理 Matt Langman 表示：

“借助 DDR5接口和技術(shù)，MRDIMM實現(xiàn)了與現(xiàn)有英特爾至強6 處理器平臺的無縫兼容，為客戶帶來了更高的靈活性和更多選擇。MRDIMM為客戶提供全面的選項，包括更高的帶寬、更低的延遲以及多樣的容量規(guī)格，適用于高性能計算、AI 及多種工作負(fù)載，且這一切均在同一支持標(biāo)準(zhǔn) DIMM的英特爾至強6 處理器平臺上實現(xiàn)。我們的客戶將從美光廣泛的 MRDIMM產(chǎn)品組合中受益，這些產(chǎn)品涵蓋從 32GB到 256GB的不同容量，包括標(biāo)準(zhǔn)和高型兩種外形規(guī)格，并將與英特爾至強6 平臺進(jìn)行驗證。”

聯(lián)想集團(tuán)副總裁兼人工智能和高性能計算

總經(jīng)理 Scott Tease 表示：

“隨著處理器和 GPU 供應(yīng)商提供的產(chǎn)品核心數(shù)呈指數(shù)級增長，所需的內(nèi)存帶寬卻未能跟上這一趨勢，以滿足系統(tǒng)性能平衡的需求。針對內(nèi)存密集型任務(wù)，如 AI 推理、AI 再訓(xùn)練以及眾多高性能計算工作負(fù)載，美光 MRDIMM 將助力縮小帶寬差距。我們與美光的合作愈發(fā)緊密，致力于為我們共同的客戶提供平衡、高性能、可持續(xù)的技術(shù)解決方案。”

美光 MRDIMM 現(xiàn)已開售，并將于 2024 年下半年批量出貨。后續(xù)幾代 MRDIMM 產(chǎn)品將繼續(xù)提供比同代 RDIMM 高 45%的單通道內(nèi)存帶寬。6如需了解美光 MRDIMM 創(chuàng)新的更多信息，請訪問：美光 MRDIMM 內(nèi)存。

1基于 GNR-AP 平臺，使用英特爾 Memory Latency Checker（MLC）工具，針對 MRDIMM（經(jīng)驗數(shù)據(jù)為 8800MT/s）和 TSV RDIMM（預(yù)估數(shù)據(jù)為 6400MT/s）在不同內(nèi)存時鐘下的只讀帶寬數(shù)據(jù)進(jìn)行測試。

2基于英特爾 Memory Latency Checker（MLC）工具，對 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 進(jìn)行經(jīng)驗數(shù)據(jù)對比測試。

3基于經(jīng)驗得出 Stream Triad 數(shù)據(jù)，對 128GB MRDIMM 8800MT/s 與 128GB RDIMM 6400MT/s 進(jìn)行對比。

4最高 DRAM 溫度模擬對比：1U 服務(wù)器機箱中的標(biāo)準(zhǔn)外形規(guī)格（SFF）DIMM 與 2U 服務(wù)器機箱中的高型外形規(guī)格（TFF）MRDIMM。

5基于 GNR-AP 平臺，使用英特爾 Memory Latency Checker（MLC）工具，針對 MRDIMM （經(jīng)驗數(shù)據(jù)為8800MT/s）和當(dāng)前一代 TSV RDIMM（預(yù)估數(shù)據(jù)為6400MT/s）在不同內(nèi)存時鐘下的只讀帶寬數(shù)據(jù)進(jìn)行測試。

6基于 MRDIMM 相對于 RDIMM 的預(yù)期未來速率，數(shù)據(jù)傳輸速率將有所提升。