英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股（IPO）的上市申請，標志著這家全球氮化鎵功率半導體領域的領軍企業正式邁出了登陸資本市場的重要步伐。

英諾賽科以其強大的研發實力和全球領先的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產能力而聞名，其主要產品覆蓋低高壓氮化鎵功率器件，廣泛應用于電子、通信等領域。據市場研究數據顯示，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中收入排名第一，市場份額高達33.7%，充分證明了其在行業內的領先地位。

然而，值得注意的是，盡管英諾賽科在市場份額和技術實力上表現出色，但近三年的財務數據顯示，公司虧損額達到67億元。這一數字引發了市場的廣泛關注和猜測。對此，英諾賽科在招股書中進行了詳細披露，表示虧損主要是由于公司持續加大在產能提升和研發方面的投入，以及償還貸款等因素所致。

對于此次IPO募資的用途，英諾賽科在招股書中明確表示，將主要用于產能的進一步提升、研發投入以及償還貸款等方面。這一策略旨在確保公司在未來能夠持續保持技術領先和市場優勢，同時加強財務穩健性，為公司的長期發展奠定堅實基礎。

英諾賽科的上市之路備受市場關注，其未來的發展動態也將對全球氮化鎵功率半導體行業產生深遠影響。