位于英國劍橋市的無晶圓制造環保科技型半導體公司 Cambridge GaN Devices（簡稱 CGD）研發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，主攻更為環保的電子設備領域。近日，該公司正與全球先進連接與電源解決方案供應商 Qorvo?聯手研發 GaN在電機控制應用中的參考設計及評估套件（EVK）。此舉旨在加速 GaN功率 IC在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的普及，構建出更高功率、高效、緊湊且穩定的系統。值得一提的是，Qorvo在其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器的 EVK 設計中，采用了 CGD的ICeGaN?（IC 增強型 GaN）技術。

CGD首席執行官 Giorgia Longobardi表示：“我們的 ICeGaN HEMT提供了接口電路，無需集成控制器，只需與高度集成的電機控制器和驅動 IC簡單結合，即可由如 Qorvo的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器輕松驅動。我們非常榮幸能與 Qorvo攜手，讓他們的電機控制器和驅動器充分享受 GaN所帶來的諸多好處。”

Qorvo功率管理事業部總經理 JEFF Strang則表示：“GaN和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體因其具有更高的功率密度和效率優勢，廣泛運用于各類電機控制應用中。CGD的 ICeGaN產品具備易用性和可靠性兩大特點，這正是電機控制和驅動設計者所關注的重點。我們期待看到設計工程師們將 CGD的 ICeGaN與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無刷直流電機控制解決方案相結合后的精彩表現。”

GaN的諸多優勢包括：更低的損耗，帶來更高的效率，進一步提升功率可用性并降低熱量產生。這使得對復雜、龐大且昂貴的熱管理解決方案的需求得以降低，從而打造出更小巧、更強大、壽命更長久的系統。同時，GaN在低速狀態下也能提供更大的扭矩，實現更精準的控制。此外，GaN的高速開關特性有助于降低噪音，特別適用于吊扇、熱泵以及冰箱等家用電器。

與其他 GaN器件相比，ICeGaN還具備以下顯著優勢：其柵極驅動電壓與 IGBT兼容，無需負關斷電壓，且可使用低成本的電流驅動器。最重要的是，ICeGaN內置電流感測功能，簡化電路設計并降低物料清單（BOM）。

目前，參考設計已經面世，EVK RD5556GaN預計將于今年第三季度推出市場。該產品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉辦的PCIM展覽會上首次亮相。屆時，CGD的展位號為7-643，Qorvo的展位號為7-406。