英特爾正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。正在順利推進中的Intel 20A和Intel 18A兩個節點，將繼續采用EUV技術，并應用RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術，助力英特爾于2025年重奪制程領先性。

在“四年五個制程節點”計劃之后，英特爾將繼續采用創新技術推進未來制程節點的開發和制造，以鞏固制程領先性。High NA EUV技術是EUV技術的進一步發展，數值孔徑（NA）是衡量收集和集中光線能力的指標。通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學系統，High NA EUV光刻技術能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個先進制程節點，Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術。此外，英特爾還公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的數個演化版本，以幫助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管，在集成High NA EUV光刻技術的同時，英特爾也在同步開發新的晶體管結構，并改進工藝步驟，如通過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。

將研究成果轉化為可量產、可應用的先進產品，是英特爾50多年來的卓越所在。英特爾將繼續致力于通過創新技術推進摩爾定律，以推動AI和其它新興技術的發展。

審核編輯 黃宇