國(guó)信光電子創(chuàng)新中心發(fā)布首款2Tb/s硅光互連芯粒
5 月 10 日訊，國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心與鵬城實(shí)驗(yàn)室合作研發(fā)成功首款國(guó)產(chǎn) 2Tb/s 硅光互連芯片，并首次在中國(guó)展示了 3D 硅基光電芯粒架構(gòu)，在單片內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 8×256Gb/s 的單向互連帶寬。
該團(tuán)隊(duì)在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎(chǔ)上，運(yùn)用先進(jìn)的光電協(xié)同設(shè)計(jì)仿真方法，開(kāi)發(fā)出適配硅光的單路超 200G driver 和 TIA 芯片，同時(shí)攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝難題，形成了完整的硅光芯片 3D 芯粒集成方案。
經(jīng)過(guò)系統(tǒng)傳輸測(cè)試，8 個(gè)通道在 224Gb/s PAM4 光信號(hào)速率下，TDECQ 均在 2dB 以內(nèi)。通過(guò)進(jìn)一步鏈路均衡，最高可支持速率達(dá) 8×256Gb/s，單片單向互連帶寬達(dá)到 2Tb/s。
此項(xiàng)研究成果將廣泛應(yīng)用于下一代算力系統(tǒng)及數(shù)據(jù)中心所需的各類光模塊產(chǎn)品中，為我國(guó)信息光電子技術(shù)的發(fā)展提供了新的可能。
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