IGBT并聯技術一IGBT均流問題

影響靜態均流的因素

1、并聯IGBT的直流母線側連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；

2、IGBT芯片的Vce(sat)和二極管芯片的VF的差異，因此盡量采取同一批次的產品。

3、IGBT模塊所處的溫度差異，設計機械結構及風道時需要考慮；

4、IGBT模塊所處的磁場差異；

5、柵極電壓Vge的差異。

影響動態均流的因素

1、IGBT模塊的開通門檻電壓VGEth的差異，VGEth越高，IGBT開通時刻越晚，不同模塊會有差異；

2、每個并聯的IGBT模塊的直流母線雜散電感L的差異；

3、門極電壓Vge的差異；

4、門極回路中的雜散電感量的差異；

5、IGBT模塊所處溫度的差異；

6、IGBT模塊所處的磁場的差異。

IGBT芯片溫度對均流的影響 IGBT芯片的溫度對于動態均流性能和靜態均流性能影響很大：

1、由于IGBT的Vcesat的正溫度系數特性，使溫度高的芯片的Vcesat更高，會分得較少的電流，因此形成了一個負反饋，使靜態均流趨于收斂；

2、根據我們的經驗，我們發現，芯片溫度變高后，動態均流的性能也會變好；例如在測試動態均流時，我們會使用雙脈沖測試方法，但這時芯片是處于冷態的，當把機器跑起來后，動態均流會改善。

IGBT芯片所處的磁場對均流的影響 IGBT模塊附近如果有強磁場，則模塊的均流會受到影響。

1、如果兩個IGBT模塊并聯且并列安裝，如果交流排的輸出電纜在擺放時靠近其中某一個IGBT模塊而遠離另外一個，則均流性能就會出問題；

2、以上現象的原因是某個大電流在導線上流動時會產生磁場，對磁場內的其他導通的電流產生“擠出”或“吸引”的效應；

因此，在結構設計時，需要注意交流排出線的走線形式，以免發生磁場的干涉現象。

審核編輯：劉清