英飛凌推出新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝
英飛凌科技近日發布了一款采用OptiMOS? MOSFET技術的SSO10T TSC封裝。這款封裝憑借其獨特的頂部直接冷卻技術，為汽車電子控制單元提供了卓越的散熱性能，有效防止熱量傳遞至印刷電路板（PCB）。
SSO10T TSC封裝的設計簡潔且緊湊，支持雙面PCB布局，進一步簡化了汽車電源設計。其高效散熱特性有助于降低汽車電源設計的冷卻需求，從而降低了系統成本。
這款新型封裝適用于多種應用，包括電動助力轉向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電系統、無刷直流驅動器（BLDC）、安全開關、反向電池和DCDC轉換器等。英飛凌科技的這一創新舉措，再次證明了其在半導體封裝技術領域的領先地位。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
英飛凌
+關注
關注
67文章
2220瀏覽量
139094 -
封裝
+關注
關注
127文章
7997瀏覽量
143417
發布評論請先 登錄
相關推薦
英飛凌推出新型MOTIX BTM90xx系列全橋IC
英飛凌科技股份公司近期推出了專為有刷直流電機應用設計的全新全橋/H橋集成電路（IC）產品系列——MOTIX? Bridge BTM90xx。這一創新產品的問世，不僅進一步豐富了英飛凌的產品陣容，還完善了其從驅動器IC到高度集成化
新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V
新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統性
英飛凌推出新型MOTIX TLE9189柵極驅動器IC
英飛凌科技股份公司近日推出了一款新型MOTIX? TLE9189柵極驅動器IC，專為12V無刷直流（BLDC）電機的安全關鍵型應用而設計。這款三相柵極驅動器IC的推出，旨在滿足線控解決
英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM
高性能CIPOS Maxi轉模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極管Emcon 7技術。由于采用了最新的微溝槽設計芯片，該產品具有卓越
英飛凌推出新型高性能微控制器AURIX? TC4Dx
【 2024 年 11 月 13 日 , 德國慕尼黑訊】 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出最新AURIX
發表于 11-13 17:23
?686次閱讀
英飛凌推出用于汽車應用識別和認證的新型指紋傳感器IC
識別功能已成為汽車行業的發展趨勢。為了滿足這一需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型車規級指紋傳感器IC ?CYFP10020A00 和 CYFP10020S00。這兩款半導體器件非常適合搭配
發表于 10-18 13:55
?1031次閱讀
汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能
電子發燒友網站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能.pdf》資料免費下載
發表于 09-24 11:27
?0次下載
英飛凌推出新型XENSIVTM傳感器擴展板
全球功率系統和物聯網領域的佼佼者英飛凌科技股份公司，近日推出了一款革命性的XENSIVTM傳感器擴展板，專為Arduino平臺設計。這款擴展板是智能家居和各種消費應用中智能傳感器系統評估的利器。
英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
STM32L053R8T6的TSC功能，外部按鍵怎么喚醒stop模式呢？
STM32L053R8T6的 TSC功能，外部按鍵怎么喚醒 stop模式？哪個大佬 有TSC相關開發程序用CUBEMX開發 ，但這個TSC功能怎么打開
發表于 03-25 06:22
Vishay推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術
在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSi MOSFET G2
在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的
工商網監
評論