超低容ESD和EOS系列保護(hù)器件

適用于高速數(shù)據(jù)信號口

體積小

電容值低

VC殘壓低

適用電頻信號范圍廣

能夠同時保護(hù)8路信號的共模及差模

作為業(yè)界領(lǐng)先的保護(hù)器件供應(yīng)商，優(yōu)恩半導(dǎo)體一直致力于為客戶提供高性能保護(hù)器件及可靠的保護(hù)解決方案。針對高速數(shù)據(jù)信號接口，推出一系列超低容ESD和EOS保護(hù)器件，采用先進(jìn)的工藝技術(shù)，為市場提供了豐富的產(chǎn)品選擇，我們的保護(hù)器件具有多項優(yōu)勢，包括體積小、集成度高、適用電頻信號范圍廣和VC殘壓低等特點，已經(jīng)在各種高速數(shù)據(jù)通信接口中得到廣泛應(yīng)用，如RF射頻、HDMI2.0、USB3.0等。

01

產(chǎn)品特性

體積小：最小尺寸DFN0603，適合空間有限的場合使用，節(jié)省布局空間。

能夠同時保護(hù)8路信號的共模及差模，簡化你的設(shè)計和布線，可提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

適用電頻信號范圍廣：1.5V至24V，可根據(jù)不用的電頻信號選擇最適合的保護(hù)器件。

VC殘壓低：最低可以控制在3V，能有效保護(hù)設(shè)備免受靜電放電ESD和EOS浪涌的損害。

02

器件規(guī)格表

03

應(yīng)用場景

審核編輯：劉清