聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5392文章
11622瀏覽量
363168 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9745瀏覽量
138886 -
芯片制造
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
628瀏覽量
28912 -
半導(dǎo)體器件
+關(guān)注
關(guān)注
12文章
765瀏覽量
32182 -
半導(dǎo)體工藝
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
107瀏覽量
26307
原文標(biāo)題:半導(dǎo)體工藝技術(shù)
文章出處:【微信號:SI_PI_EMC,微信公眾號:信號完整性】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
半導(dǎo)體制造工藝之BiCMOS技術(shù)
目前為止,在日常生活中使用的每一個電氣和電子設(shè)備中,都是由利用半導(dǎo)體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純
發(fā)表于 09-22 16:04
?3195次閱讀
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對SiC 襯底缺陷密度相對較高的問題,研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為2?07 nm的刻蝕表
發(fā)表于 10-06 09:48
半導(dǎo)體制造
在制造半導(dǎo)體器件時,為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體,使之導(dǎo)電性極差,然后再用擴散
發(fā)表于 07-11 20:23
半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 07-05 08:13
為什么說移動終端發(fā)展引領(lǐng)了半導(dǎo)體工藝新方向?
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 08-02 08:23
半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢是什么?
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 08-20 08:01
2020年半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)前瞻
表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初,業(yè)內(nèi)也召開了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會議,對2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會議的消息和廠商披露
發(fā)表于 07-07 11:38
半導(dǎo)體制造的難點匯總
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時期。第一個晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀(jì)60年代——改進(jìn)工藝此階段,
發(fā)表于 09-02 18:02
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡介
超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)CMOS技術(shù)半導(dǎo)體表面經(jīng)過各種處理步驟,其中添加了具有特定幾何圖案的雜質(zhì)和其他材料
發(fā)表于 07-09 10:26
半導(dǎo)體器件制造工藝手冊
本手冊包括:物理常數(shù)、常用元素、雜質(zhì)及擴散源、電熱材料、工藝安全、管殼外形標(biāo)準(zhǔn)化等半導(dǎo)體器件制造工藝常用數(shù)據(jù)手冊
發(fā)表于 12-15 16:03
?135次下載
蜂窩趨勢引領(lǐng)半導(dǎo)體工藝技術(shù)發(fā)展方向
(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 11-25 02:35
?629次閱讀
評論