隨著英飛凌技術公司推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET系列產品，電機驅動應用領域得到了顯著的推進。這一系列產品專為各種電動交通工具，（如電動滑板車、微型電動車及電動叉車等）提供了卓越的性能表現。

OptiMOS 6 200 V MOSFET的溝槽技術，通過降低了RDS（on）（漏源電阻），有效減少了傳導損耗，使其在電動工具的應用中實現了更高效的運行。這項技術不僅優化了開關損耗，降低了電磁干擾（EMI），而且提供了更好的并聯運作能力，這得益于它窄的柵極閾值電壓范圍和降低的跨導效果。其軟二極管特性和低的反向恢復電荷，加上線性輸出電容的改善，這些都有助于在不同的操作條件下提升系統效率。

這些特性對于任何需要高效能源交換的應用程序，如服務器、通信、儲能和太陽能系統等，都是至關重要的。此外，OptiMOS 6 200 V更寬的安全工作區（SOA）以及更低的RDS（on）的結合，使得它成為靜態交換應用（如電池管理系統）的理想選擇。

與OptiMOS 3相比，OptiMOS 6 200 V的性能有了質的飛躍，RDS（on）降低了42%，大大減少了傳導損耗并提升了輸出功率。在二極管的軟切換特性上，OptiMOS 6 200 V的表現是OptiMOS 3的三倍以上，加上89%的Qrr（反向恢復電荷）降低，使得開關和EMI性能都得到了顯著提升。寄生電容（Coss 和 Crss）的線性度改進，減少了開關時的振蕩和電壓過沖，緊密的V GS(th)分布和更低的跨導有助于并聯MOSFET的均衡流動，實現更均勻的溫度分布，同時減少了并聯MOSFET的需要。

新的OptiMOS 6 200 V產品系列不僅在技術性能上設立了新的行業標準，也因其提高的功率密度、效率和系統可靠性，為客戶帶來了實質性的利益。隨著這些創新產品的推出，我們可以期待在電力電子領域的更多應用突破和進步。

OptiMOS 6 200 V MOSFET產品優勢

? 低傳導損耗

? 開關損耗低

?改善了EMI

?減少了并聯的需要

?并聯時更好的電流共享

?符合RoHS，無鉛

OptiMOS 6 200 V MOSFET技術優勢：

? 室溫下RDS(on)減少42%，175°C時減少53%

?降低了Qrr和提高了電容線性度與開關性能

?在不影響EMI的情況下，降低傳導和開關損耗

?改進SOA以增加保護開關應用中MOSFET電流處理

?設計優化和生產精度使可靠的高性能技術

OptiMOS 6 200 V 產品采用多種封裝，適合各種應用。這一廣泛的封裝產品組合包括 PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P 以及 D2PAK-3P。現已開放訂購

審核編輯：劉清