長鑫存儲獲半導體器件制備裝置及方法專利
據最新天眼查數據顯示，長鑫存儲技術有限公司近日獲得了一項名為“一種半導體器件制備裝置及制備方法”的實用新型專利，專利號CN115287630B，授權日期為2024年3月26日，申請時間為2022年8月4日。
這項發明涉及半導體器件制備設備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優化系統及反應腔室三大組件。其中，氣體管道設有多個氣體入口管道；在反應腔室內，自上而下依次安置著射頻匹配器、氣體分配盤、晶圓托盤以及氣體排出部分。氣體混合優化系統位于反應腔室外，由氣體攪拌裝置與氣體過濾裝置組成。氣體攪拌裝置能確保多路氣體均勻分布，氣體過濾裝置則負責清除混合氣體中所含顆粒雜質，使其在PECVD裝置反應腔室內多向分布，以提高等離子體的均勻度，進而提升薄膜沉積過程中的膜厚均勻性并降低顆粒產生率。
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