NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）和PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種基本的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）類型，它們?cè)?a target="_blank">電子設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。了解這兩種晶體管的電流流向以及導(dǎo)通條件對(duì)于理解它們的工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。

導(dǎo)通條件

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。

NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；

PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。

NMOS管，一般使用NMOS作為下管使用，S極直接接地（電壓為固定值0V），只需將G極電壓Vgs達(dá)到大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通；PMOS，一般使用PMOS作為上管，S極直接接電源VCC，S極電壓固定，只需G極電壓比S極低，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通。

首先，讓我們從NMOS開始。NMOS晶體管主要由三個(gè)電極組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。在NMOS晶體管中，當(dāng)柵極電壓低于源極和漏極的電壓時(shí)，晶體管會(huì)導(dǎo)通。這是因?yàn)樵贜MOS晶體管中，溝道是由電子形成的，當(dāng)柵極電壓降低時(shí)，它會(huì)吸引溝道中的電子，使得溝道變窄，從而允許電流從源極流向漏極。因此，NMOS晶體管的電流流向是從源極到漏極。

PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)與NMOS相似，也由柵極、源極和漏極三個(gè)電極組成。然而，PMOS晶體管的工作原理與NMOS不同。在PMOS晶體管中，溝道是由空穴形成的，而不是電子。當(dāng)柵極電壓高于源極和漏極的電壓時(shí)，PMOS晶體管會(huì)導(dǎo)通。這是因?yàn)闁艠O電壓的增加會(huì)排斥溝道中的空穴，使得溝道變窄，從而允許電流從源極流向漏極。因此，PMOS晶體管的電流流向也是從源極到漏極。

了解NMOS和PMOS的導(dǎo)通條件對(duì)于正確地設(shè)計(jì)電子設(shè)備至關(guān)重要。在實(shí)際應(yīng)用中，NMOS和PMOS晶體管通常用于構(gòu)建邏輯門、放大器和開關(guān)等電路。在邏輯門中，NMOS和PMOS晶體管可以組合使用，以構(gòu)建出AND、OR、NOT等邏輯門電路。在放大器中，NMOS和PMOS晶體管可以用于放大電壓或電流信號(hào)。在開關(guān)中，NMOS和PMOS晶體管可以用于控制電流的通斷。

此外，NMOS和PMOS晶體管還具有一些其他的特性。例如，NMOS晶體管通常具有較高的輸入阻抗和較低的輸出阻抗，這使得它在某些應(yīng)用中比PMOS晶體管更具優(yōu)勢(shì)。而PMOS晶體管則通常具有較高的輸出阻抗和較低的輸入阻抗，這使得它在某些應(yīng)用中比NMOS晶體管更具優(yōu)勢(shì)。

總之，了解NMOS和PMOS的電流流向以及導(dǎo)通條件是理解它們的工作原理和應(yīng)用的關(guān)鍵。通過正確地設(shè)計(jì)和應(yīng)用NMOS和PMOS晶體管，我們可以構(gòu)建出各種復(fù)雜的電子設(shè)備，從而滿足不同的需求和應(yīng)用場(chǎng)景。

審核編輯 黃宇