GBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；（因為Vbe=0.7V，而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT最主要的作用就是把高壓直流變?yōu)榻涣鳎约白冾l（所以用在電動車上比較多）。

IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS，集電極電流IC類似于漏極電流ID，集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。

MOSFET與IGBT在線性區(qū)之間存在差異（紅框所標位置）。

這主要是由于IGBT在導通初期，發(fā)射極P+/N-結需要約為0.7V的電壓降使得該結從零偏轉(zhuǎn)變?yōu)檎鶎е碌摹?/p>

igbt導通條件和關斷條件的區(qū)別

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）的導通條件和關斷條件有一些重要的區(qū)別：

1. 導通條件：

- 在導通狀態(tài)下，IGBT的柵極與發(fā)射極之間施加正電壓（通常為正向電壓），使得柵結區(qū)域形成導電通道，從而允許電流通過。當柵極正向電壓足夠大以打開IGBT時，器件開始導通。

- 通常，IGBT的導通狀態(tài)下，集電極-發(fā)射極間的電壓低于最大額定電壓（VCE(max)），而集電極電流處于最大額定電流IC(max)）之內(nèi)。

2. 關斷條件：

- 在關斷狀態(tài)下，柵極與發(fā)射極之間的電壓被降低到足夠低的水平，或者施加反向電壓。這樣做可以使柵結區(qū)域失去導電能力，從而切斷電流通過。當柵極被拉低到足夠低的電壓或者施加反向電壓時，IGBT開始關斷。

- 關斷狀態(tài)下，集電極-發(fā)射極之間的電壓通常高于最大額定電壓（VCE(max)），而且器件電流接近于零。

導通狀態(tài)下，IGBT允許電流通過，而關斷狀態(tài)下，IGBT切斷電流。導通和關斷之間的切換是通過控制柵極電壓來實現(xiàn)的，以控制器件的導通和關斷狀態(tài)。

igbt可以反向?qū)▎?/strong>