英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列的一大亮點(diǎn)在于其采用了英飛凌獨(dú)有的.XT互聯(lián)技術(shù)。這一技術(shù)不僅增強(qiáng)了產(chǎn)品的輸出電流能力,提高了效率,而且還有助于提高產(chǎn)品的可靠性。
在電動(dòng)汽車、充電設(shè)備和可再生能源系統(tǒng)中,高壓功率轉(zhuǎn)換是至關(guān)重要的。而SiC MOSFET由于其高效的能量轉(zhuǎn)換和高溫穩(wěn)定性,在這些領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列的出現(xiàn),將進(jìn)一步推動(dòng)這些領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步和性能提升。
英飛凌作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,始終致力于創(chuàng)新和突破,以滿足市場(chǎng)對(duì)高效、可靠和緊湊的電子解決方案的需求。此次推出的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,再次證明了英飛凌在技術(shù)上的領(lǐng)先地位和對(duì)市場(chǎng)需求的深度理解。
未來(lái),隨著電動(dòng)汽車和可再生能源市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,對(duì)高壓功率轉(zhuǎn)換器件的需求將進(jìn)一步增加。英飛凌將繼續(xù)推出更多創(chuàng)新的產(chǎn)品,為用戶提供更加完善的解決方案,推動(dòng)各行業(yè)的發(fā)展。
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
2213瀏覽量
139080 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7240瀏覽量
214265 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2887瀏覽量
62940
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
英飛凌CoolSiC? MOSFET 2000V再獲殊榮,榮獲極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)
![<b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>2000V</b>再獲殊榮,榮獲極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
英飛凌推出CoolSi肖特基二極管2000V G5
英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V,直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC
![<b class='flag-5'>英飛凌</b>推出<b class='flag-5'>CoolSiC</b>?肖特基二極管<b class='flag-5'>2000V</b>,直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計(jì)2000V CoolSiC?驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
![IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計(jì)<b class='flag-5'>2000V</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>?驅(qū)動(dòng)評(píng)估板](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
貿(mào)澤開(kāi)售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
英飛凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V
![<b class='flag-5'>英飛凌</b>推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>2000V</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/E8/AA/wKgZomZP-CGAFIwSAAA1YofPKI4188.png)
2000V SiC分立器件雙脈沖或連續(xù)PWM評(píng)估板
![<b class='flag-5'>2000V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>分立器件雙脈沖或連續(xù)PWM評(píng)估板](https://file1.elecfans.com//web2/M00/DC/9F/wKgaomYruRaAbIJhAAWeWVPtE1o612.png)
光儲(chǔ)系統(tǒng)高壓化升級(jí),2000V SiC MOSFET開(kāi)始走進(jìn)市場(chǎng)
英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)
![<b class='flag-5'>英飛凌</b>科技推出新一代碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>溝槽柵技術(shù)](https://file1.elecfans.com/web2/M00/D2/60/wKgaomYjK6KAF4C_AAAN0zfCQtI885.jpg)
英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點(diǎn)
英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品
全面提升!英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2
![全面提升!<b class='flag-5'>英飛凌</b>推出新一代碳化硅技術(shù)<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> G2](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C5/EE/wKgaomX5ZYKAC6bHAALtF-VrqxA815.png)
英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V, 在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度
![<b class='flag-5'>英飛凌</b>推出全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>2000</b> <b class='flag-5'>V</b>, 在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C4/49/wKgZomXyaj2AQRW_AANHhnXY7fU563.png)
英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)的發(fā)展
![<b class='flag-5'>英飛凌</b>推出G2 <b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)的發(fā)展](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C4/D3/wKgaomXvsV-AV7ElAAAjjnwLlNw020.png)
評(píng)論