2024年大批日本和海外半導體企業(yè)在日本新建晶圓工廠投入運營，推動日本半導體產業(yè)鏈升級和芯片制造技術提升。

臺積電

在熊本縣菊陽町，臺積電、索尼和日本電裝聯(lián)合開發(fā)了一個12英寸晶圓加工基地，該基地應用12nm、16nm和22nm至28nm技術，預計月底建成。此外，其量產時間已定為2024年第四期。據悉，此舉將推動日本邏輯IC工藝技術大幅度提升，由瑞薩電子的40nm攀升到JASM的12nm，成為日本半導體振興戰(zhàn)略重要一環(huán)。而日本政府已投入4760億日元作為補助，占總體劃撥的86%。

鎧俠和西部數(shù)據

鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據計劃在三重縣四日市建立一處12英寸合資工廠，預計明年3月開始生產3D NAND產品。具體投資金額為2800億日元，其中日本政府出資929億日元。此外，位于巖手縣北上的另一座廠也將于今年末開業(yè)，原本計劃于2023年內完成，然而因市場影響被延遲。

瑞薩電子

瑞薩電子預計明年引進新的功率半導體生產線，以應對電動車增長所需。他們決定在現(xiàn)有的山梨縣甲府廠房基礎上增加一條12英寸硅片生產線，投入資金高達900億日元。同時，這新型生產線將助力瑞薩電子提升IGBT和MOSFET等功率半導體產能，預計2024年實現(xiàn)量產，該舉措得到了日本經濟產業(yè)省的支持。

東芝和羅姆

東芝在石川縣能美市的新工廠預計明年3月完工并裝配12英寸硅功率半導體晶圓制造線。該廠與羅姆在宮崎縣國富市新開發(fā)的SiC功率半導體工廠進行生產整合，預計獲得政府資助，數(shù)額相等于項目總投資的三分之一。羅姆新廠將采用8英寸SiC晶圓技術，新建廠投產后部分工程仍需持續(xù)進行。

2025年后的日本晶圓廠計劃

展望未來，美光科技將于2025年在廣島縣興建生產1-gamma （1γ） DRAM的新型工廠；晶圓生產商JSMC與日本金融機構SBI合作，目標在2027年部分完成后實現(xiàn)大規(guī)模量產；日本睿普爾也計劃于同一時期實現(xiàn)2nm芯片規(guī)模生產。而臺積電正在重點考慮選址熊本縣再建新廠，相關決策可能在2月6日后公布。

臺積電董事長劉德音1月18日談到在日本的第二座工廠時說，還在評估階段，正在日本政府進行討論。一旦決定興建二廠，預計將生產7nm到16nm制程的產品。