去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時依然無法觀察到失效點，這時候就需要對芯片進行進一步處理，對于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來逐一去除，直至最后一層金屬化和介質(zhì)層。

去玩所有的金屬化層和介質(zhì)層后，有時候還需要去除多晶硅層、氧化層等直至露出硅本體。

芯片失效分析

由于層間介質(zhì)的材料與鈍化層材料種類基本相同，因此層間介質(zhì)的去除也是類似的，也是主要分為干法腐蝕和濕法腐蝕兩種。這里值得注意的是，F(xiàn)IB同樣可以運用到失效分析的局部去層處理中。

聚焦離子束系統(tǒng)是利用電子透鏡將離子束聚焦成很小尺寸的纖維精細切割儀器，它由聚焦狀態(tài)的離子探針對物體表面進行點狀轟擊。由于FIB也具有成像功能，所以在進行局部剝層之后也便于對失效點進行觀察。

FIB技術(shù)的運用

FIB技術(shù)如今十分活躍在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域。因為它在材料的刻蝕、沉積、注入、改變物化性能等方面具有顯著優(yōu)勢，所以被很多內(nèi)行人期待成為半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域最主要的加工手段。

FIB技術(shù)

現(xiàn)階段FIB技術(shù)主要應(yīng)用在以下方面：

1.光掩模的修補；

2.集成電路的缺陷檢測分析與修整；

3.TEM和STEM的薄片試樣制備；

4.硬盤驅(qū)動器薄膜頭的制作；

5.掃描離子束顯微鏡；

6.FIB的直接注入；

7.FIB曝光（掃描曝光和投影曝光）

8.多束技術(shù)和全真空聯(lián)機技術(shù)；

9.FIB微結(jié)構(gòu)制造（材料刻蝕、沉積）

10.二次離子質(zhì)譜儀技術(shù)。

審核編輯：劉清