憑借自發光、高效率、低功耗、高集成、高穩定性、全天候工作的優點，Micro LED被認為極有可能成為具有顛覆性和變革性的下一代主流顯示技術，吸引產業鏈多家企業技術“押注”。

芯片作為Micro LED產業化的關鍵節點，掌握了Micro LED發展的重要命脈。

“乾照光電作為LED芯片龍頭廠商之一，已在Micro LED賽道布局多年。但是，當前的諸多技術問題還是制約了Micro LED的發展速度。”乾照光電董事長金章育在2023年高工LED年會上表示。

目前，國際國內各大終端都十分看好micro LED技術，其應用領域可以涵蓋包括頭戴AR/VR微顯示、手表、車載、PID/電視等大屏幕顯示等諸多領域，國內電視龍頭海信視像也布局此賽道，在今年實現了對乾照光電的控股。

乾照光電與海信視像的之間強強聯合，正以“需求”為落腳點加速攻破相關技術瓶頸。

事實上，早在2020年，乾照光電就成立研究院，旨在開發Mini/Micro LED的相關技術，推動Mini/Micro LED技術的應用和發展，并聯合產業界上下游布局Mini/Micro LED技術的觸角和抓手，為客戶提供Mini/Micro LED解決方案，也作為與客戶協同開發相關技術的平臺和窗口。

發展至今，研究院研發設備投入總計約1億元，投建百級試產線，研發人員超50+，匯集海外&臺灣專家以及業內10年以上經驗者。

據金章育介紹，目前制約Micro LED技術大規模應用的主要技術挑戰主要有Micro LED的光效挑戰、高均勻性和高良率困難、巨量轉移良率低成本高、LED適用電流與玻璃基TFT不匹配等四點。

相對來講，上述一、四點是制約手表應用快速發展的關鍵瓶頸，而一、二、三點則是制約電視等大尺寸應用發展的技術瓶頸。所以，一旦企業的研發成果能夠解決這些問題，包括手表和電視等應用產品將快速落地開花。

針對以上問題，乾照光電研究院開展了相關研究。

在高光效外延芯片技術方面，研究緩沖層生長技術提升晶體質量、研究有源層能帶工程技術，提升輻射復合效率、研究薄型高反射率DBR工藝和側壁修復工藝提升芯片光效；

在巨量轉移技術方面，研究臨時鍵合工藝和材料，開發高良率FCOC技術，以及高良率、高精度、高速度的激光排列技術、研究不同鍵合材料體系，開發基于激光的巨量鍵合技術；

在高良率高精度芯片制程技術方面，進行亞微米級精度芯片制程開發、研究99.99%以上良率所需的外延芯片制程工藝及設備要求，達成良率目標；

在微顯示技術方面，先進行Wafer to wafer的晶圓級鍵合，再進行半導體制程路線、先制作芯片，再進行Chip to wafer的芯片對位鍵合的制程路線；

在檢測和修復技術方面，PL+AOI檢測仍舊是目前較通用的方式，COC/COG的修復技術開發中。

同時還開發單芯片全彩技術以及模組制備技術，其中單芯片全彩技術能夠通過將RGB三色芯片封裝到一個chiplet中，實現點測分選，降低巨量轉移的良率要求，有效解決行業難題，加速Micro LED技術的落地。

據了解，目前乾照光電在Micro LED相關專利布局100余項，并在2023下半年建成中試線，將引導Micro LED產業化發展。

審核編輯：湯梓紅