碳化硅功率半導體多芯片封裝技術研究
過去幾十年里，半導體技術快速發展，芯片特性顯著提升。大功率半導體器件是由多顆半導體裸芯片通過封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無法匹配芯片特性等挑戰。
近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化功率器件及其封裝技術”分會上，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長王來利教授做了“碳化硅功率半導體多芯片封裝技術”的主題報告，分享了最新研究進展。
研究提出了磁耦合精確調控多芯片并聯電熱均衡方法，提出了控制磁場耦合度的多芯片電熱應力調控方法，解決了多芯片不均衡性電熱應力調控難題，為提高寬禁帶器件容量與可靠性建立了基礎。
首次獲得了碳化硅半導體在550℃高溫的動靜態特性，掌握了碳化硅極寬溫度范圍內關鍵特征參數變化規律，并基于高溫器件實現了環境溫度265℃的高溫變換器。
審核編輯：劉清
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原文標題：王來利教授：碳化硅功率半導體多芯片封裝技術
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