季豐電子ATE實(shí)驗(yàn)室最新引進(jìn)了兩臺(tái)雙脈沖測(cè)試儀DPT1000A和Edison，分別覆蓋功率單管和模塊。

截至目前，季豐電子實(shí)現(xiàn)了功率器件的靜態(tài)參數(shù)和動(dòng)態(tài)參數(shù)的全覆蓋，可為客戶提供測(cè)試功率器件動(dòng)態(tài)特性的服務(wù)，幫助客戶優(yōu)化有關(guān)功率器件參數(shù)的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

動(dòng)態(tài)參數(shù)的優(yōu)良決定著器件的開關(guān)性能，通常我們希望功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度盡可能得高、開關(guān)過(guò)程損耗小。

但在實(shí)際應(yīng)用中，影響開關(guān)特性的參數(shù)很多，如續(xù)流二極管的反向恢復(fù)參數(shù)，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對(duì)于此類參數(shù)的測(cè)試，變得尤為重要。開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性。

測(cè)試測(cè)試方法

為什么叫雙脈沖測(cè)試？單脈沖不可以嗎？

在大部分電力電子裝置中，負(fù)載的電感量都比較大，在IGBT關(guān)斷后，電感電流一般不會(huì)斷流，二極管會(huì)一直續(xù)流，在此時(shí)開通IGBT，會(huì)有二極管的反向恢復(fù)過(guò)程。

而單脈沖實(shí)驗(yàn)中是沒(méi)有二極管反向恢復(fù)過(guò)程的，因而雙脈沖實(shí)驗(yàn)比單脈沖實(shí)驗(yàn)真實(shí)。但是單脈沖實(shí)驗(yàn)可以充分觀察關(guān)斷過(guò)程，如果只需要關(guān)注關(guān)斷過(guò)程，則單脈沖實(shí)驗(yàn)也是可以的。

雙脈沖測(cè)試原理如圖1?2所示。t0時(shí)刻第一個(gè)脈沖上升沿到來(lái)，使得動(dòng)作管導(dǎo)通。母線電壓加在負(fù)載電感上，使得電流線性上升，負(fù)載電流的最終表達(dá)式為：

t1時(shí)刻第一個(gè)脈沖的下降沿到來(lái)，使得動(dòng)作管關(guān)斷，此時(shí)可獲取該開關(guān)管在關(guān)斷過(guò)程中的相關(guān)參數(shù)。由于感性負(fù)載電流不能突變，經(jīng)過(guò)非動(dòng)作管的體二極管續(xù)流并產(chǎn)生一定衰減。

t2時(shí)刻第二個(gè)脈沖上升沿到來(lái)，動(dòng)作管再次開通，此時(shí)可獲取該開關(guān)管在開通過(guò)程中的相關(guān)參數(shù)。

對(duì)SiC功率模塊橋臂上管、下管進(jìn)行雙脈沖測(cè)試時(shí)，示波器及電壓、電流探頭的連接方式如圖3所示。

體二極管反向恢復(fù)電流

圖 2雙脈沖測(cè)試波形

圖 3 橋臂下管、上管雙脈沖測(cè)試探頭連接示意圖

測(cè)試能力

封裝支持

目前，單管支持的封裝除了一些標(biāo)準(zhǔn)封裝TO220、TO247，還有：SOP8、DFN3*3、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT23-3L-1.7、SOT23-6L-1.7、TOLL，其他類型封裝可定制，交期4~8W。

模塊封裝目前僅支持英飛凌IGBT HPD FS820R08A6P2B、SIC HPD FSO3MR12A6MA1LB、SIC HPD ADP280120W3，驅(qū)動(dòng)模塊需要定制，交期8W。

審核編輯：劉清