近日，乾照光電取得多項LED芯片相關專利，分別是“一種LED芯片及其制備方法”、“一種垂直結構LED芯片”、“一種LED外延結構“。

其中，“一種LED芯片及其制備方法”，公開號CN117117055A，申請日期為2023年9月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種LED芯片及其制備方法，通過該方法在保證電極被鈍化層覆蓋以解決金屬逆壓遷移問題的同時，通過撕膜即可形成鈍化層圖形，減少光刻次數，簡化工藝，降低成本。

“一種垂直結構LED芯片”，授權公告號CN220106568U，申請日期為2023年4月。

專利摘要顯示，本實用新型提供了一種垂直結構LED芯片，在所述外延疊層表面通過介質層+金屬反射層的配合形成了ODR全方向反射鏡，使光線被反射后從LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整體反射率、增加了光提取效率；

同時，通過嵌入所述集成金屬層，在制作集成金屬層的過程中采用含Au金屬材料，并通過蝕刻的方式裸露出集成金屬層中的部分表面，該裸露部分承擔PAD功能，可以實現與外部的電連接。

“一種LED外延結構”授權公告號CN220121867U，申請日期為2023年5月。

專利摘要顯示，本實用新型提供了一種LED外延結構，所述N型半導體層至少包括三個N型半導體子層，且至少兩個所述N型半導體子層的N型摻雜濃度不一致。

進一步地，在所述N型半導體層中，靠近所述襯底一側的N型半導體子層為N型半導體底層，靠近所述有源層一側的N型半導體子層為N型半導體頂層，其余的N型半導體子層為N型半導體中間層；

則，至少一N型半導體中間層的N型摻雜濃度低于所述N型半導體底層和/或N型半導體頂層的N型摻雜濃度。

使得所述N型半導體層的N型摻雜濃度呈高低高的階梯式分布結構，該結構能夠對高壓靜電起到緩沖的作用，降低了高壓靜電的破壞力，提升ESD性能，同時避免因有源層的N型摻雜降低而影響ESD性能。

Micro LED憑借具備更高的發光效率、更長的壽命、更高的像素密度以及更強的畫質擬真度被業界認為是視覺時代下的最優解，Mini LED作為其過渡階段，現已在多個領域實現量產。

芯片作為Micro LED產業化的關鍵節點，掌握了Micro LED發展的重要命脈。

乾照光電作為國內LED芯片龍頭廠商之一，在Micro LED領域布局處于市場領先地位，已開發出垂直Micro LED芯片樣品可以供客戶試樣，并與多個重要客戶合作緊密，共同促進相關技術迭代，爭取早日實現量產。

值得一提的是，在今年八月份，乾照光電發布公告稱，公司與南昌市新建區人民政府于近日簽署了《海信乾照江西半導體基地項目協議書》，就公司在新建區投資建設“海信乾照江西半導體基地項目”初步達成協議。

公告顯示，“海信乾照江西半導體基地項目”選址江西新建經濟開發區，規劃使用乾照光電南昌基地現有廠房和土地資源生產LED產品，實現月產能50萬片（折2寸片）。

審核編輯：湯梓紅