下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結與平面結所承受電壓分布的差異。

因為電壓主要由摻雜濃度更低的基區(qū)來承受，所以在耗盡區(qū)內對（7-3）從PN結邊界到耗盡區(qū)積分，即得到電壓分布，

回顧《IGBT中的若干PN結》，對于平面PN結，電壓分布表達式為

對于1200V器件，假設其襯底濃度為，可以看出來，柱面結所延展出來的耗盡區(qū)，其電壓增長速度遠遠高于平面結，所以必須采用多個柱面結來分擔電壓。

以上，我們討論了柱面結相較平面結的變化趨勢，發(fā)現(xiàn)其差異已經如此之大。實際上對于芯片四個角落的PN結，其形貌為球面結，上述差異會進一步擴大，相同電壓情況下，PN結界面的電場差別更大（后面我們會進行計算），這在IGBT設計過程中必須要仔細斟酌。

下面我們再分析一下柱面結和平面結的雪崩電壓差異。PN結的雪崩電壓指的是PN結發(fā)生雪崩擊穿時所對應的電壓值。

之所以會發(fā)生雪崩擊穿，是因為載流子（電子或者空穴）在耗盡區(qū)中被電場加速，這個過程中可能會與低能量的電子（本來處于禁帶）發(fā)生碰撞，而將其激發(fā)到導帶，成為新的載流子。

在《微觀電流》一章中，我們對這個過程進行過描述。顯然，當載流子能量足夠大，使其碰撞產生的新的載流子數(shù)量大于復合的載流子數(shù)量，那么這個碰撞過程就會持續(xù)積累，最終發(fā)生“雪崩”而損壞。

雪崩過程通常用碰撞電離率來描述，其物理意義為載流子在耗盡區(qū)中經過1cm所碰撞產生的電子空穴對。

假如1個電子進入耗盡區(qū)，很容易推測，當這個電子穿過整個耗盡區(qū)過程中，其碰撞產生的電子數(shù)量多余1個，那么就會發(fā)生雪崩效應。

這個過程用數(shù)學表達式描述即為，以此為條件我們就可以計算出來平面結和柱面結的雪崩電場值。

碰撞電離率一般為經驗表達式，其中常用的一種簡化表達式為：

先看平面結，其電場表達式為，帶入（7-9）并對在整個耗盡區(qū)進行積分，

同樣，對于1200V的IGBT，假設PN結深，襯底濃度為，求解（7-10），可以得到雪崩時的耗盡區(qū)寬度，相應的電場即為雪崩電場，即

再看柱面結，其電場分布表達式為(7-3)，帶入（7-9），

求解（7-12），得到，明顯小于平面結的耗盡區(qū)寬度，相應的電場即為雪崩電場，即

對照（7-11）和（7-13），按碰撞電離的經驗公式（7-9）所計算出來的雪崩擊穿電場有所不同，但在同一個數(shù)量級，這個計算過程是可信的。

因此，柱面結雪崩時的耗盡區(qū)僅為40，而平面結雪崩時的耗盡區(qū)卻可以達到175柱面結雪崩時的耗盡區(qū)寬度遠遠小于平面結。

將雪崩電場所對應的耗盡區(qū)寬度分別帶入（7-7）和(7-8)，并將摻雜濃度設定為8e13（1200V規(guī)格），可以得到平面結和柱面結在雪崩時所對應的耐壓分別為1920V和250V。

以上，我們詳細討論了平面結和柱面結的耐壓差異的原因，并結合1200V-IGBT的摻雜濃度，計算了具體的雪崩電場和耐受電壓。按照相同邏輯，結合球坐標系，對球面結的雪崩電場和耐受電壓進行計算。