1.寫在前面

本次仿真的是2006年的論文[1]，結構簡單，無三極管，利用CMOS亞閾值導電指數特性做溫度補償替代三極管，極大減小了面積和功耗，能在低壓工作，但是溫度特性較差。

2.電路原理分析

通過M10和M11的電流疊加通過R3獲得基準輸出電壓。輸出電壓表達式整理后是由VGS和VT線性疊加，VGS與溫度負相關，VT與溫度正相關，調整電阻即可線性補償溫度，使最終輸出與溫度無關。

論文[1]中原理寫的很詳細，我做的筆記如下，注意公式(5)中寬長比是因為亞閾值導電公式中的I0是與寬長比成正比的。

3.仿真結果

在TSMC180nm工藝下仿真其溫度特性曲線、靜態功耗、溫度系數。

電源電壓Vcc=1V，輸出基準242mV，能夠低壓工作。溫度系數92.57ppm/℃，靜態功耗4.4uW。亞閾值CMOS確實極大降低了功耗，無三極管也大大減少了面積，但是溫度特性補償也更復雜了。