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DC-DC單電感并聯(lián)使用的故障案例

CHANBAEK ? 來源: 硬件系統(tǒng)架構(gòu)師 ? 作者: Timothy ? 2023-11-15 17:22 ? 次閱讀

引言:DC-DC的并聯(lián)問題一般使用不是很多,在電流不夠的情況下,并聯(lián)輸出是一個不錯的解決方案,多電感并聯(lián)使用尤其方便,鎖相可以減少紋波,不鎖相也不會有什么問題,本節(jié)分析一個單電感并聯(lián)使用的故障案例,供大家一起學習。

  1. 問題背景

在使用MPS的一款電源芯片時,原理圖如圖2-1所示,成品PCBA到后初步測試整板連接性完好,上電后,電源端顯示功耗很大,表明有短路狀況發(fā)生,此時電源芯片本體還發(fā)出滋滋滋極強的電流音。

1#:電源芯片本體發(fā)出比較大的電流音。

2#:空板PCBA(無軟件)功耗極大。

3#:測量一級DC-DC(12V-5V),輸入正常,輸出為3.8V,不正常。

圖片

圖2-1:原理圖

  1. 排查過程

PMIC測量

上電情況下測量PMIC的幾路輸出,輸出均不正常,偏離設(shè)定值非常大。

電源鏈路排查

圖片

圖2-2:電源鏈路

整個電源鏈路為12V--->5V--->PMIC--->load,從輸入到負載逐級斷開定位問題區(qū)域,斷開5V和PMIC,測量5V正常,說明12V轉(zhuǎn)5V沒有問題,斷開load,故障沒有消失,說明問題在PMIC這個環(huán)節(jié)。

為進一步確定問題是PMIC,將所有負載均使用外置數(shù)字電源,不再使用板級PDN,此時主板芯片工作正常,連接串口如 圖2-3 ,可以正常收取信號

圖片

圖2-3:主芯片工作正常可以讀取到串口信號

芯片移植

為了確認芯片的配置是否存在問題,將板上的PMIC拆下來移植到電源demo板上(demo板沒有負載,各個通道均獨立),實際驗證此時PMIC各個通道輸出均正常。

  1. 排查結(jié)論

比較區(qū)別就是demo板上四個buck不是并聯(lián)工作模式,所以確認是PMIC沒有按照需求配置為并聯(lián)工作模式,導(dǎo)致外部直接并聯(lián),電流倒灌損壞PMIC。

  1. 原理分析

根據(jù)以上結(jié)論,我們開始討論DC-DC并聯(lián)工作這種形式為什么會存在電流倒灌風險以及哪種情況會有倒灌發(fā)生。

單電感形式

如圖2-4和圖2-5所示,對于單電感并聯(lián)這種情況,當兩組HS-FET同時打開,兩組LS-FET同時關(guān)閉或者兩組HS-FET同時關(guān)閉,兩組LS-FET同時打開時,電流的紫色箭頭流向均正常。

圖片

圖2-4:單電感并聯(lián)鎖相

圖片

圖2-5:單電感并聯(lián)鎖相

此時我們再考慮一種極端情況,當A組HS-FET開啟,LS-FET關(guān)閉,B組HS-FET關(guān)閉,LS-FET打開時,如圖2-6所示,紅色箭頭部分電流直接通向GND,即發(fā)生了短路,就會損壞PMIC內(nèi)部的FET,這個就符合上面遇到的情況,我們稱之為失相,圖2-6的假設(shè)失相為180°,比較極端,實際情況失相并不可控,F(xiàn)B引腳也懸空,所以才會發(fā)生很強烈的滋滋的電流音,因為短路的大電流時而導(dǎo)通時而斷開。如果失相180°,F(xiàn)ET會因長時間短路而燒毀。

圖片

圖2-6:單電感并聯(lián)不鎖相

基于前述的分析,可以確定對于單電感并聯(lián)的DC-DC,兩者一定要鎖相,而且鎖相為0°,如圖2-7所示,PMIC手冊的簡圖中Programmable
OSC Phase
Shift不僅僅用來調(diào)整電源時序,還會根據(jù)寄存器配置的并聯(lián)模式進行DC-DC1和3鎖相,DC-DC2和4鎖相,后面類似這樣的使用方法一定要注意。

圖片

圖2-7:PMIC內(nèi)部四路Buck簡圖

多電感形式

在Power系列里面介紹過多相電源(Power-2:外置開關(guān)同步降壓控制器-多相多輸出),它們的并聯(lián)就是多電感并聯(lián),也就是一個通道配置一個儲能電感,多相里面配置的相位差多種多樣,但是不會有電流倒灌的問題,如圖2-8所示,假設(shè)兩個鎖相180°(反相狀態(tài)),即A組對電感充能,B組的電感釋能。

圖片

圖2-8:多電感并聯(lián)不鎖相

當不考慮Cout時,采集V1、V2、V3、V4四個點的電壓波形如 圖2-9
,V1=12V,V2=5.7V--->6.0V--->6.3V,V3=6.3V--->6.0V--->5.7V,V4=0V。在6.0V之前,V3電壓實際略高于V2,但因為V1的緣故,L阻抗更大,不會存在電流倒灌,在6.0V以后,V2電壓實際略高于V3,但此時L阻抗也很大,也不會有電流直接貫通到GND。(在某一微小時間段,存在Vin---L1---L2---GND,但因為L1充能,L2釋能,因此實際這個通路不會有電流,電流還是都流過Load)。考慮到Cout的存在,實際V2=V3,更加不會存在貫通電流,這個原理也是多相電源的并聯(lián)基礎(chǔ)(電流除了從電勢高處流到電勢低處以外,還會更偏向流向電勢差更大的地方,與GND的電勢差最大)。

圖片

圖2-9:圖2-8的時間段關(guān)鍵點波形

  1. 小結(jié)

多電感形式的并聯(lián),不用擔心電流倒灌的問題,而單電感形式的并聯(lián),在鎖相之外可以在每個通道上再增加一個防倒灌功能,評估Iout,可以是二極管,也可以是別的電路。

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