耗盡型MOSFET構成電流源給IC供電的應用電路
01常見的應用方式
02電路原理及注意事項
當電路工作時，電阻R兩端的電壓會隨著流過的電流的增加而升高，但是由于耗盡型MOSFET的亞閾值特性，其最大電壓值不會超過對應電流下的閾值電壓，即V R_MAX =|V TH |。因此在該條件下，上述應用可以作為恒流源給IC供電。
由于MOSFET的功耗限制，該應用不適合大功率供電場景，實際應用時電流會隨著MOSFET結溫的變化而存在輕微波動。
DMZ1520E
DMZ1520E系列產品在工業自動化、汽車電子、新能源等應用電路中，可用于LDO供電。如下圖所示，電路中只使用了一個DMZ1520E，它可以將高輸入電壓轉換為穩定的低電壓為LDO供電，同時為LDO提供瞬態浪涌抑制。LDO的輸入輸出電壓滿足關系式: Vs=Vout +|VGS(OFF) |。該系列MOSFET響應速度快，電路結構簡單。
DMZ1520E系列產品不僅能提供穩定的電源，而且能在復雜的電子、磁環境中抵抗較大的瞬變電壓，特別適用于智能變送器IC的應用，如AD421、SD2421A、JHM1101等，對標 BSS169、MMBF4393等。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電源
+關注
關注
184文章
17841瀏覽量
251820 -
MOSFET
+關注
關注
147文章
7242瀏覽量
214277 -
應用電路
+關注
關注
9文章
430瀏覽量
49664 -
ldo
+關注
關注
35文章
1952瀏覽量
153979 -
電流源
+關注
關注
4文章
384瀏覽量
29395
發布評論請先 登錄
相關推薦
耗盡型MOSFET的符號/工作原理/類型/特性/應用場景
金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種電壓控制器件，由源極、漏極、柵極和主體等端子構成，用于放大或切換電路內的電壓，也廣泛用于數字應用的
耗盡型MOSFET在開關電源啟動電路中的應用
在大多數反激式開關電源中，都是通過變壓器附加繞組給PWM控制 IC供電，在電路的啟動階段，附加繞組還沒有電壓輸出，因此需要單獨的電路
當耗盡型MOSFET和JFET的柵源電壓大于0時電流怎么變化
電壓等于0的時候，漏極電流是等于0.其中JFET中柵級與襯底之間的PN結工作在反偏，當所有的討論都是基于源級接地的電路時，當耗盡型
發表于 04-08 03:57
N溝道耗盡型MOS管飽和漏極電流測量出現的問題
，被測器件為N溝道耗盡型MOSFET，數據手冊上的測試條件為VGS=0V（短接，所以就沒畫，實際電路已經短接了），VDS=5V，典型值是1950mA，保護電阻為50歐姆或330歐姆，紅
發表于 06-22 20:09
耗盡模式功率MOSFET的應用有哪些？
供電，其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會有很大的電壓變化，包括由于應用環境而導致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩壓器電路
發表于 02-21 15:46
增強型和耗盡型MOSFET的區別
功率 MOSFET 最常用于開關模式應用中，它們用作開關。然而，在 SMPS 中的啟動電路、浪涌和高壓保護、反極性保護或固態繼電器等應用中，功率 MOSFET 在柵極到源極電壓 VGS
發表于 09-11 09:11
?9397次閱讀
耗盡模式和增強模式MOS管是什么？有什么區別？
耗盡型 MOSFET 類似于開路開關。在此模式下，施加柵極到源極電壓 （VGS） 以關閉器件。當柵極電壓為負時，正電荷會在通道中累積。這會導致溝道中的
發表于 02-19 17:44
?1w次閱讀
耗盡型MOSFET在非隔離式電源電路中的應用
在上述電路中，無需使用其它DC-DC元件，僅使用一顆耗盡型MOSFET，即可將較高的電壓轉換為穩定的低電壓給LDO輸入端
工商網監
評論