在很多的藍(lán)牙應(yīng)用場景中，客戶使用外置PA芯片，通過提升射頻的發(fā)射功率，以實(shí)現(xiàn)增加藍(lán)牙產(chǎn)品距離的目的。但在生產(chǎn)階段帶PA的板子偶爾會遇到射頻測試不過的情況。那如何對帶外置PA芯片的產(chǎn)品進(jìn)行射頻RF測試，本文將對此問題進(jìn)行解答。

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確認(rèn)PA芯片的控制邏輯

首先要知道PA芯片的射頻tx和rx使能的電平邏輯，PA芯片的datasheet都有寫的。如下圖的示例，在tx使能時(shí)，TXEN pin需要輸出高電平；而rx使能時(shí)，需要TXEN pin輸出低電平同時(shí)RXEN pin輸出高電平；

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確認(rèn)藍(lán)牙芯片控制PA的GPIO

在產(chǎn)品的原理圖找到：連接PA芯片的TXEN 和 RXEN pin的對應(yīng)藍(lán)牙芯片的GPIO。

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修改產(chǎn)測工具的腳本文件

在產(chǎn)測工具Evkmonitor軟件中的/platform/default目錄下，找到配置過的腳本文件test.tls，在測試RF的腳本指令之前，需要額外添加一些腳本指令，也就是設(shè)置藍(lán)牙芯片GPIO的寄存器（藍(lán)牙芯片的datasheet的GPIO寄存器列表中查找），控制GPIO輸出高低電平讓PA芯片進(jìn)入tx或者rx模式，以便進(jìn)行射頻測試；

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實(shí)戰(zhàn)演練

下面使用泰凌微電子的TLSR8258芯片為例進(jìn)行說明。

1、藍(lán)牙芯片的GPIO和PA芯片的pin對應(yīng)如下表所示。

2、在TLSR8258 datasheet中7.1.1章節(jié)GPIO lookup table找到對應(yīng)的寄存器，如下圖所示。PA1以紅色方框標(biāo)識，而PA4以綠色方框標(biāo)識。

3、配置邏輯：先配置PA1和PA4為GPIO功能，然后設(shè)置禁止輸入，使能輸出；最后設(shè)置PA1和PA4輸出高或低電平。如下面代碼所示。

注意：OEN寄存器的配置，跟常規(guī)的邏輯是反的，如下圖所示。

4、在test.tls腳本中的配置實(shí)例如下：

• 設(shè)置gpio使能PA tx模式后，進(jìn)行tx_cnt和tx_power的測試。

• 設(shè)置gpio使能PA rx模式后，進(jìn)行rx_cnt和rx_sensty的測試。

• Rf測試的高頻點(diǎn)（2498MHz）和低頻點(diǎn)（2398MHz）都要修改。

注意：因?yàn)橛辛送庵肞A芯片的功率放大作用，tx_power和rx_sensty的閾值設(shè)置需要進(jìn)行調(diào)整。建議的方式，先保持默認(rèn)的-30和-70不變，然后實(shí)際測試5-6塊板子，得到總體的平均值，然后再放寬10dbm的余量。比如tx_power測試得到的值為-10dbm左右，則把閾值設(shè)置為-20。

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