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共創(chuàng)寬禁帶半導(dǎo)體未來,看碳化硅技術(shù)如何推動下一代直流快充樁發(fā)展

安森美 ? 來源:未知 ? 2023-10-08 19:15 ? 次閱讀

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寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料,例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性,因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù),寬禁帶半導(dǎo)體市場的全球規(guī)模預(yù)計將從 2020 年的 27.6 億美元增長到 2027 年的 86. 5億美元,年復(fù)合增長率達到 17.5%。其中,碳化硅(SiC)半導(dǎo)體市場規(guī)模較大,占據(jù)了市場份額的大部分。預(yù)計未來幾年,隨著新能源汽車的普及和5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的加速推進,寬禁帶半導(dǎo)體市場將持續(xù)保持高速增長。

由深圳市電子商會和 Bodo’s 功率系統(tǒng)雜志主辦的Bodo’s 寬禁帶半導(dǎo)體論壇將于今年10月12日在深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區(qū)線下舉辦,分享寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展和最新成就。安森美(onsemi)電源方案部產(chǎn)品經(jīng)理Jerry也將在現(xiàn)場為大家概述安森美的EV充電設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)和應(yīng)用于充電樁智能電源產(chǎn)品和方案,包括碳化硅(SiC)、電源模塊和門極驅(qū)動器等,以及參考設(shè)計和支持工具,助您簡化設(shè)計,最大化能效以及減小尺寸。


講主題

碳化硅技術(shù)實現(xiàn)下一代直流快速充電樁的發(fā)展

時間地點

2023年10月12日 15:00 - 15:30

深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區(qū)





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