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同時取代閃存和DRAM,ULTRARAM真有這個潛力嗎?

E4Life ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:周凱揚 ? 2023-10-09 00:10 ? 次閱讀

電子發燒友網報道(文/周凱揚)在近期的閃存峰會上,一家由英國蘭卡斯特大學孵化的初創公司Quinas Technology獲得了創新大獎。他們展示了ULTRARAM,一個結合了DRAM高性能和閃存非易失性的新技術,力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。

ULTRARAM與閃存和DRAM的區別

閃存和DRAM作為已經被行業使用了數十年的存儲形式,因為其特性不同,往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例,其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴展性等特點,但缺點在于需要高壓開關電路,以及相對較慢的編程/擦除。

DRAM擁有極高的耐用性,操作快速,但其為易失性存儲,需要持續的電源供應,加上破壞性讀出以及容量擴展上始終存在困難。可以看出,無論是閃存和DRAM,都逃不開能耗、性能、耐用性的二選一,所以這些年兩者始終處于一個共生的局面。

而ULTRARAM作為一個通用內存,自然是要解決閃存和DRAM之間存在的這些矛盾。與這兩者在材料層面不同的是,ULTRARAM用的是III-V族化合物半導體,且主要是其中6.1 ? 家族的半導體,比如砷化銦、碲化鎵和碲化鋁。

ULTRARAM是一種基于電荷的存儲器,像NAND一樣使用浮柵結構,所以也能像其他閃存一樣,實現非破壞性讀出。但相較閃存和DRAM,ULTRARAM可以實現超長時間的存儲,這得益于其TBRT結構。哪怕是在單bit級別也能存儲遠大于十年的時間,ULTRARAM中的電荷可以存儲1000年而不會出現泄露。且ULTRARAM開關能耗極低,開關速度更是低于ns級。

離量產還有多久?

然而任何新的存儲形態在試圖挑戰閃存和DRAM之前,都必須解決制造和量產的問題,因為這才是決定其能否商業化的關鍵之一。常見的阻礙有,在現有的固態制造設備之上,是否需要尚未投入使用的材料和工具,已經對于大部分晶圓廠來說,是否需要額外的工序。

據了解Quinas Technology已經宣布添置和購買了相關設備,用于生產出20nm的ULTRARAM原型產品,并將繼續積極推動該技術的商業化。在確定其性能達到宣傳指標,比如1000萬次重寫循環后,他們會嘗試開始小規模市場并尋找感興趣的客戶。

與此同時,英國創新機構也獎勵了Quinas Technology 30萬英鎊,用于推動這一技術的商業化進程。不過離真正的量產應該還有一定的差距,其發明者及Quinas Technology CSO表示,這對于一家初創公司來說自然是不小的投資,但量產ULTRARAM的過程并非短跑,而是一場馬拉松。

Quinas Technology雖然購買了相關設備,但其僅用于原型的制造和驗證,真正量產還是需要大型晶圓廠的支持。鑒于目前歐洲仍缺少大型的內存制造工廠,據了解他們很可能選擇與臺積電合作,而不是與歐洲本地的IMEC等企業合作。

在最終產品上,Quinas Technology似乎打算先面向高端市場,比如服務器/數據中心級別的產品,畢竟消費級存儲市場仍處于一個去庫存的階段,而高性能內存恰恰是利潤最高的。同時Quinas Technology透露,對UTRARAM感興趣的公司中包括Meta,后者對于ULTRARAM的節能特性尤其看好。

寫在最后

和所有新的存儲技術一樣,大規模量產并控制成本才是最關鍵的挑戰。而對于ULTRARAM來說,該技術尚未到量產驗證階段,還在性能與指標的驗證階段,如果原型產品和之后的小批量產品能夠與宣傳保持一致的話,相信這一技術會獲得更多公司的青睞和投資。

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