季豐電子新引入精密芯片裂片設備SELA—MC10
SELA是通過刻痕和斷裂的雙重過程制備樣品，獲得高質量截面。標準的制備過程包括以下兩個主要階段：
? 通過一個兩級精密微裂解的設備，來制備已經預設定寬度并已做好裂解位置標記點的晶片段；
? 通過精密的納米裂解設備，來制備已經做好裂解位置標記點的截面樣品。
季豐電子可以精準、快速地獲得樣品截面，并在一分鐘內完成單個樣品的裂解（包括切割目標的兩側），并確保樣品擁有微米級的精度和極高的截面質量。配備軟件和算法，可實現在半自動裂解過程中精確地完成定點裂片。
設備規格指標
硅晶片：任何標準的晶片材料，單芯片。
硅片類型：<100>
截面精度：±5 微米，1西格瑪（單工藝和SDO工藝）
附加材料：砷化鎵、磷化銦、或者其他具有正交晶體矢量的單晶結構。
晶片樣品厚度：80~1000um
審核編輯：劉清
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原文標題：季豐電子新引入精密芯片裂片設備SELA—MC10
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