GD32 是國產單片機，據說開發人員來自ST公司，GD32 也是以 STM32 作為模板做出來的。所以 GD32 和 STM32 有很多地方都是一樣的，不過 GD32 畢竟是不同的產品，不可能所有東西都沿用 STM32，有些自主開發的東西還是有區別的。不同的地方如下：

1、內核

GD32 采用二代的 M3 內核，STM32 主要采用一代 M3 內核， ARM 公司的 M3 內核勘誤，GD 使用的內核只有 752419 這一個 BUG。

2、主頻

使用HSE(高速外部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M

使用HSI(高速內部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M

主頻大意味著單片機代碼運行的速度會更快，項目中如果需要進行刷屏，開方運算，電機控制等操作，GD 是一個不錯的選擇。

3、供電

外部供電：GD32 外部供電范圍是 2.63.6V，STM32 外部供電范圍是2.0 3.6V或1.65~ 3.6V。GD 的供電范圍比 STM32 相對要窄一點。

內核電壓：GD32 內核電壓是 1.2V，STM32 內核電壓是 1.8V。GD 的內核電壓比 STM32 的內核電壓要低，所以 GD 的芯片在運行的時候運行功耗更低。

4、Flash差異

GD32 的 Flash 是自主研發的，和 STM32 的不一樣。

GD Flash 執行速度：GD32 Flash 中程序執行為 0 等待周期。

STM32 Flash 執行速度：ST 系統頻率不訪問 flash 等待時間關系：0 等待周期，當 0

Flash 擦除時間：GD 擦除的時間要久一點，官方給出的數據是這樣的：GD32F103/101 系列 Flash 128KB 及以下的型號， Page Erase 典型值 100ms， 實際測量 60ms 左右。對應的 ST 產品 Page Erase 典型值 20~40ms。

5、功耗

從下面的表可以看出 GD 的產品在相同主頻情況下，GD 的運行功耗比 STM32小，但是在相同的設置下 GD 的停機模式、待機模式、睡眠模式比 STM32 還是要高的。

6、串口

GD 在連續發送數據的時候每兩個字節之間會有一個 Bit 的 Idle，而 STM32 沒有，如下圖：

GD 的串口在發送的時候停止位只有 1/2 兩種停止位模式。STM32 有 0.5/1/1.5/2 四種停止位模式。

GD 和 STM32 USART 的這兩個差異對通信基本沒有影響，只是 GD 的通信時間會加長一點。

7、ADC 差異

GD 的輸入阻抗和采樣時間的設置和 ST 有一定差異，相同配置 GD 采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在 72M 的主頻下，ADC 的采樣時鐘為 14M 的輸入阻抗和采樣周期的關系：

8、FSMC

STM32 只有 100Pin 以上的大容量（256K及以上）才有 FSMC，GD32 所有的 100Pin 或 100Pin 以上的都有 FSMC。

9、103 系列 RAM&FLASH 大小差別

GD103 系列和 ST103 系列的 ram 和 flash 對比如下圖：

10、105&107系列STM32和GD的差別

GD的105/107的選擇比ST的多很多，具體見下表：

11、抗干擾能力

GD 的抗干擾能力不如 STM32，還需要一定打磨。

總結：STM32 和 GD32 是同質化產品，區別一個是國外，一個是國產；就像目前的國產車和進口車，可能在底盤 駕駛感受等方面還有些差異 但是我們相信，假以時日，國產一定能夠進步，一定能夠媲美進口器件。最近流行國產化替代，所以 GD32 還是很有發展前景的。